デバイスシミュレーション研究チーム
Device Simulation Research Team


デバイスシミュレーション研究チーム研究チームについて

シミュレーションで拓くデバイスの未来

半導体業界標準のTCAD(Technology Computer-Aided Design)シミュレーションに加え、非平衡グリーン関数法や第一原理計算などの量子論・原子論に立脚したシミュレーションを駆使して、シリコンナノシートトランジスタや二次元半導体トランジスタに代表される次世代デバイスの振る舞いを予測・解析しています。また、それを可能にするため、必要なシミュレーション技術の研究開発とともに、産総研が独自に開発した次世代デバイスシミュレータ「Impulse TCAD」の高性能化・高機能化を進めています。

デバイスシミュレーション研究チームKeywords

半導体デバイス物理

デバイスモデリング

キャリア輸送シミュレーション

熱輸送シミュレーション

TCAD

デバイスシミュレーション研究チーム研究内容

次世代デバイスに向けたTCADシミュレーション技術の研究開発

新構造・新材料・新原理が導入される次世代デバイスに対応するべく、TCADシミュレーション技術の高度化に取り組んでいます。

非平衡グリーン関数法を用いた量子伝導シミュレーション

非平衡グリーン関数法に基づく量子輸送計算を通じて、量子効果がデバイス特性に与える影響を理論的に解析します。

第一原理計算を用いた材料特性解析

第一原理計算を基に、次世代デバイス材料における歪みや膜厚の変化などが物性に与える影響を理論的に明らかにします。

デバイスシミュレーション研究チーム半導体デバイスシミュレータ

Impulse TCAD

参考サイト:https://unit.aist.go.jp/sfrc/facilities_ipTCAD.html 

Impulse TCAD

デバイスシミュレーション研究チーム研究施設

計算クラスタ

デバイスシミュレーション研究チームメンバー

植田 暁子
チーム長
服部 淳一
掘井 耀

Research Team

国立研究開発法人
産業技術総合研究所
先端半導体研究センター

〒305-8569 
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