半導体業界標準のTCAD(Technology Computer-Aided Design)シミュレーションに加え、非平衡グリーン関数法や第一原理計算などの量子論・原子論に立脚したシミュレーションを駆使して、シリコンナノシートトランジスタや二次元半導体トランジスタに代表される次世代デバイスの振る舞いを予測・解析しています。また、それを可能にするため、必要なシミュレーション技術の研究開発とともに、産総研が独自に開発した次世代デバイスシミュレータ「Impulse TCAD」の高性能化・高機能化を進めています。
新構造・新材料・新原理が導入される次世代デバイスに対応するべく、TCADシミュレーション技術の高度化に取り組んでいます。
非平衡グリーン関数法に基づく量子輸送計算を通じて、量子効果がデバイス特性に与える影響を理論的に解析します。
第一原理計算を基に、次世代デバイス材料における歪みや膜厚の変化などが物性に与える影響を理論的に明らかにします。
参考サイト:https://unit.aist.go.jp/sfrc/facilities_ipTCAD.html