極限CMOS材料
研究チーム

Extremely scaled CMOS materials Research Team

先端ロジック半導体を構成するCMOSトランジスタの更なる高集積化や高性能化に向けた研究開発を推進しています。CMOSの微細化限界を突破するために、CMOS技術の基盤であるSi材料に加え、Geや二次元材料等の非Si材料を含めた材料技術・プロセス技術の開発を進めています。さらに、先端CMOSデバイスの設計指針の構築に向けて、産総研オリジナルのTCADであるIMPULSE-TCADを開発しています。これらの基盤技術を駆使することで、ナノシートトランジスタ、CFET、新材料チャネルトランジスタ等の先端CMOSデバイスの開発と実証を進めています。