研究施設・ツール

3,000㎡のクラス３クリーンルームに、300mmウエハ用半導体プロセス装置を揃えています。既存のプロセスメニューを活用した研究開発や個々のプロセスや単独処理などを行うことができます。

次世代半導体電子デバイスを試作研究開発するためのクリーンルームです。４インチウエハを用いたシリコン半導体デバイスプロセスの実施を中心とした機能を持ちます。

Impulse TCADは今後の半導体デバイスの動向に対応するために、産総研が独自に開発した、半導体デバイスシミュレータです。 物理モデルを組み込み易くするための自動微分と、 大規模解析を可能にする並列解析を備えています。