研究チーム

半導体集積回路に用いられる材料、デバイス、および、その作製プロセスに関する基盤技術を開発しています。基礎的コア技術の創出から、最先端300 mm装置を用いたデバイス実証までを一貫して推進します。

最先端の半導体CMOS集積回路の製造プロセスに関する革新的な技術開発を行うことで、これからますます複雑化する半導体の製造技術開発に貢献します。

産総研の西事業所にあるスーパークリーンルーム（SCR）では、300㎜シリコンウェハを用いた半導体の研究開発、試作サービスを行っています。先端半導体の研究開発においては、最新の半導体プロセス装置を導入し、SCR内に共用パイロットラインを構築中です。

先端半導体技術として２nm世代以降に向けたCMOSトランジスタ、材料、プロセス、シミュレーション、TCADに関する研究開発を推進しています。

量子コンピューティングに関する基盤技術の開発、大幅な超低消費電力化及び高速化を実現する集積デバイス技術等に関する技術開発を進めています。

プロセスの微細化に依存せず、デバイスをフリップチップ接合、直接接合、シリコン貫通電極により積層接続して集積化する3次元集積実装技術を用いて、電子機器システムの小型化、低消費電力化、高機能化を推進しています。

社会が急速に傾倒していくサイバーフィジカルシステムにおいて、情報処理のエネルギー効率を飛躍的に向上させる先端的な集積回路・システム技術の研究開発並びに集積回路設計開発環境の開拓を目指します。