2 nmノード以降の半導体集積回路で用いられるナノシート型トランジスタ等の最先端デバイス開発に取り組んでいます。デバイス高性能・低消費電力化や高信頼性化のための、要素プロセス・材料開発を最先端300 mm装置を駆使して実施し、デバイス実証へ繋げるべく研究を進めています。また、他チームと連携し、Siデバイスの限界突破を見据えた、新材料デバイスの研究にも取り組んでいます。
300 mmラインに導入されている最先端プロセス装置を駆使し、2 nm世代以降へ向けて導入が進められるSiナノシートトランジスタの研究開発を行っています。具体的には、Si/SiGeエピタキシャル成長技術によるSiナノシートチャネル形成や高不純物濃度低抵抗ソース・ドレイン形成、また、ナノシートチャネルへの高誘電率ゲート絶縁膜および金属ゲート電極形成等の要素プロセス技術開発を行っています。加えて、これら要素プロセス技術を統合したデバイス実証を並行して進めています。
2 nm世代以降の更に進んだ技術世代を見据え、ポストSi材料として期待される2次元半導体や酸化物半導体に関する研究も他のチームと連携して行っています。ここでは、これら材料の基礎的な成膜プロセス、デバイス作製プロセスの開発を行いつつ、デバイス物理を深耕するべく研究を進めています。
