IMPULSE TCAD
Impulse TCADは今後の半導体デバイスの動向に対応するために、 産総研が独自に開発した、半導体デバイスシミュレータです。物理モデルを組み込み易くするための自動微分と、 大規模解析を可能にする並列解析を備えています。
"A TCAD device simulator for exotic materials and its application to a negative-capacitance FET", Tsutomu Ikegami, Koichi Fukuda, Junichi Hattori, Hidehiro Asai, and Hiroyuki Ota, J. Comp. Elec. 18, 534-542 (2019). https://doi.org/10.1007/s10825-019-01313-7
私たちは、Impulse TCADを用いて世界で初めてNegative Capacitance FETの経時解析に成功しました。(Ota et al. IEDM2016-2018) 図はNegative Capacitance FETに与える電極電圧を変えた時のデバイス内の静電ポテンシャル分布です。
このNegative Capacitance FETの解析画像は、可視化ソフトウェアの動画例として紹介されました。 半導体新原理トランジスタ動作のデバイスシミュレーション
IMPULSE TCADのユーザーインタフェース
NEDOのIoT技術開発加速のためのオープンイノベーション推進事業の助成を受けて開発されたGraphical User Interface (GUI)が実装されています。
IMPULSE TCADの利用環境
Impulse TCADは情報技術研究部門とデバイス技術研究部門が共同で開発し、 AI Bridging Cloud Infrastructure (ABCI, https://abci.ai/) 上で稼働しています。ご利用のご興味がある方はメールでお問い合わせください。
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