1. 超伝導エネルギー分散分光検出器を搭載した蛍光収量XAFS装置
2. 母材中の微量軽元素からのXAFS測定が可能
3. XAFSスペクトルから、省エネ半導体ドーパント、酸化物、磁性体などの原子配位や電子状態を評価

　　（競合：米Advanced Light Source）

・蛍光Ｘ線エネルギー分解能 ： 10 eV

• エネルギー範囲 ： 70 eV-5000 eV(<1 keV:超伝導､> 2 keV:　半導体)
• アレイ検出器素子数 ：100
• 光子計数率 ： 1 Mcps
• 冷却 ： 液体ヘリウムを使用せず機械式冷凍機による自動冷却（0.3 K)

　　M. Ohkubo et al., Scientific Reports, 2, 831, DOI: 10.1038/srep00831 (2012)

　省エネ半導体であるSiC中窒素ドーパントの格子位置をはじめて決定した。

図1．NドープSiC(300 ppm)のXANESスペクトル

図2．第一原理計算結果とNの置換位置Nは Cサイトのみに入っている