量子デバイス研究チーム
概要
チームの研究課題
超伝導量子ビットの高性能化・高集積化に関する研究超伝導量子コンピュータにおける超伝導量子ビットの高性能化・高集積化を材料・プロセス・設計の観点より研究を行っています。本研究は、NEDOPJ「量子計算及びイジング計算システムの統合型研究開発」で実施しています。
Al/AlOx/Alジョセフソン接合の上面SEM像 |
Taキャップ層有無のNb共振器の内部Q値と平均光子数の関係（Y. Urade et al., Extended Abstracts of the 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2022, pp191-192.） |
超伝導X線検出器の高感度化の研究
超伝導トンネル接合X線検出器の高感度化の研究を行っています。本検出器は、検出限界数100ppmと、従来のXPS、EDXの検出限界1%より超高感度で検出できる特徴が有ります。
 超伝導X線検出器の顕微鏡写真 |
 断面図 |
共用デバイス試作施設（Qufab）の管理運営
共用デバイス試作施設（Qufab）の管理運営を行っています。この施設は4インチのデバイス試作ラインで、プロセス利用及び試作サービスを提供しています。Qufabは、超伝導量子ビット・回路、超伝導デジタル・アナログ集積回路、超伝導3次元実装ができます。
チームの構成メンバー
| 顔写真 | 所属・役職および名前 | 専門分野 |
|---|---|---|
 |
チーム長
藤井 剛（Go FUJII） |
|
 |
特定フェロー
牧瀬 圭正（Kazumasa MAKISE） |
超伝導量子・アナログ・デジタルデバイス・プロセス開発、超伝導3次元実装、低次元超伝導物性物理 |
|
特定フェロー
近藤 大雄（Daiyu KONDO） |
|
|
特定技術担当主幹
日塔 光一（Koh-ichi NITTOH） |
超伝導量子回路のプロセス研究と開発 |
|
特定技術担当主幹
小幡 利顕（Toshiaki OBATA） |
|
|
キャリアエキスパート
平野 育（Iku HIRANO） |
周波数制御、イオントラップ、電気計測 |
|
主任研究員
全 伸幸（Nobuyuki ZEN） |
フォノン工学、超電導の電磁特性、超電導デバイス、時間の矢 |
|
主任研究員
浦出 芳郎（Yoshiro URADE） |
誤り耐性量子コンピュータに向けた超伝導量子回路の研究 |
|
研究員
藤田 裕一（Yuichi FUJITA） |
超伝導量子ビット大規模集積回路技術の研究開発 |
|
研究員
知名 史博（Fumihiro CHINA） |
超伝導デジタル論理回路、超伝導デバイス作製技術 |
|
招へい研究員
日高 睦夫（Mutsuo HIDAKA） |
|
|
招へい研究員
佐藤 哲朗（Tetsuro SATO） |
|
|
招へい研究員
富成 征弘（Yukihiro TOMINARI） |
|
|
チーム付
山森 弘毅（Hirotake YAMAMORI） |
超伝導デバイスの研究開発 |
|
チーム付
菊地 克弥（Katsuya KIKUCHI） |
3次元集積実装技術の研究開発 |
|
チーム付
渡辺 直也（Naoya WATANABE） |
3次元集積回路のプロセス技術に関する研究 |
|
チーム付
荒賀 佑樹（Yuuki ARAGA） |
三次元実装半導体における電磁干渉の解析、実測 ; 超伝導三次元実装のためのマイクロバンプ接合及び直接接合手法の開発 |
|
チーム付
森 貴洋（Takahiro MORI） |
半導体素子集積化技術・デバイス物理（シリコン量子ビット素子大規模集積化技術、クライオCMOSデバイス技術） |
|
チーム付
浅井 栄大（Hidehiro ASAI） |
|
|
チーム付
加藤 公彦（Kimihiko KATO） |
半導体素子集積化技術・デバイス物理（トンネルトランジスタ・シリコン量子ビット素子、プロセス技術） |
|
チーム付
岡 博史（Hiroshi OKA） |
半導体素子集積化技術・デバイス物理（シリコン量子ビット素子、クライオCMOSデバイス技術） |
|
チーム付
飯塚 将太（Shota IIZUKA） |
半導体素子集積化技術・デバイス物理（デバイスシミュレーション技術） |
|
チーム付
稲葉 工（Takumi INABA） |
半導体素子集積化技術・デバイス物理（クライオCMOSデバイス技術、モデリング） |