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デバイス技術研究部門

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集積回路に用いられる材料、デバイス、作製プロセス、設計、および解析評価に関するコア技術を創出し、大規模データを利活用するための低消費電力メモリ・ロジック回路の開発、三次元集積化を先導するとともに、AIチップ等の集積回路設計技術、非ノイマン型情報システム、非連続な技術革新をもたらす量子コンピューティングに向けたシリコン量子デバイスの創成にも取組んでいます。

また、変種変量生産に適した製造技術(ミニマルファブ)やマイクロ電子機械システム(MEMS)、超伝導検出器に関するコア技術開発等を通じて、社会ニーズに対応する各種高機能デバイスの実現、実用化を進めています。

これらの研究開発を推進するため、共用利用も可能なCMOS試作ライン、超伝導デバイス製造ライン(CRAVITY)、MEMSファウンドリー、ミニマルファブラインを運用しています。

当部門は、これらの成果の産業界や社会への橋渡しを実行し、わが国の半導体関連産業等の競争力を強化し、サイバーフィジカルシステムの高度化に貢献していきます。

更新情報

2021年8月25日 成果発表 東北大学と安藤 淳 研究部門付らの共同研究の成果が、東北大学からプレスリリースされました。
厚さわずか2ナノメートルの半導体極薄トランジスタで分子認識に成功!
― 医療・環境・生産に特化した分子センサーへの応用に期待 ―
東北大学多元物質科学研究所HPにも掲載)
2021年8月5日 成果発表 成果発表、シリコンスピン量子ビット素子を高速化する集積構造を提案
−演算速度従来比10倍、シリコン量子コンピューターの実現に前進−
2021年5月11日 論文発表 Applied Physics Express (APEX)に掲載された右田真司、他による研究成果の論文が、APEX編集運営委員会により、"Spotlights"論文に選ばれました。
  "Accelerated ferroelectric phase transformation in HfO2/ZrO2 nanolaminates" S. Migita, H. Ota, S. Asanuma, Y. Morita, and A. Toriumi, Appl. Phys. Express 14 051006(2021)
次世代不揮発性メモリや人工知能ハードウエアの実現のために最近注目されている(Hf.Zr)O2強誘電体を高品質で製造するためには、HfO2原子層/ZrO2原子層の積層構造が重要であることを世界で初めて示しました。
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2021年4月13日 受賞 浅井栄大 主任研究員が5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2021で、Best Paper Award (3rd Place)を受賞しました。
   タイトル: Development of Integrated Device Simulator for Quantum Bit Design: Self-Consistent Calculation for Quantum Transport and Qubit Operation
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2021年3月8日 論文発表 齊藤雄太主任研究員と東北大学等の共同研究の成果がScientific Reportsに掲載されました。
   タイトル: Dimensional transformation of chemical bonding during crystallization in a layered chalcogenide
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(本件は、3/9に東北大学からプレスリリースされました。)
2021年3月1日 お知らせ システマティックマテリアルズデザイングループが第2事業所2-12棟に移動しました。
2021年2月9日 受賞 村田博雅リサーチアシスタントが育志賞を受賞しました。
   タイトル:金属誘起層交換による多層グラフェン合成と薄膜二次電池応用
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2021年2月9日 受賞 濱口総志外来研究員及び堀洋平主任研究員が主導した国際規格ISO/IEC 20897-1:2020が、情報処理学会 情報企画調査会より、「国際規格開発賞」を受賞しました。
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2021年1月13日 お知らせ NEDO「IoT推進のための横断技術開発プロジェクト」スクール・ワークショップが開催されます。開催日:2021年2月9日、10日(参加費無料、事前登録制)
詳細はこちらからご覧ください。
2020年12月8日 プレスリリース 2nm世代向けの新構造トランジスタの開発 
−積層型のSi/Ge異種チャネル相補型電界効果トランジスタによる大幅な集積化向上−
2020年10月27日 受賞 2020年10月19日(月)に開催された、エレクトロニクス・製造領域 若手発表会 において、デバイス技術研究部門の2名が領域長賞を受賞しました。
   ・牧野孝太郎(システマティックマテリアルデザイン研究グループ)
       “相変化材料の赤外光・テラヘルツ波オフ゜トエレクトロニクス応用 ”
   ・岡博史(新原理デバイス研究グループ)
       “シリコン量子コンヒ゜ューターの性能を制限するノイス゛発生源の特定 ”
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2020年10月7日 お知らせ 新原理コンピューティング研究センターの設立(2020/10/1)にあたり、量子システムエンジニアリンググループと量子デバイスプロセス・制御グループが、新センター所属に異動しました。
2020年9月16日 受賞 松前貴司 研究員が、the 2020 ECS Bruce Deal & Andy Grove Young Author Award を受賞しました。
   タイトル:Direct Bonding of an Electroformed Cu Substrate and Si Chip at Room Temperature under Atmospheric Conditions
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2020年9月2日 受賞 2020年9月、日暮栄治 研究グループ長、東颯人 リサーチアシスタント(東京大)、山本道貴 リサーチアシスタント(東京大)、松前貴司 研究員、倉島優一 主任研究員、高木秀樹 総括研究主幹が、第11回集積化MEMSシンポジウムの発表で、優秀論文賞を受賞しました。
   タイトル:チタン薄膜を用いたウェハ常温接合−キャップ層とナノシリコン層の導入−
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2020年8月12日 表彰 秋永総括研究主幹が、2020年度応用物理学会フェローとして表彰されることになりました。
   タイトル:機能性酸化物デバイスの研究開発とナノエレクトロニクス研究推進
詳細はこちらからご覧ください。
2020年7月1日 受賞 2020年6月、山本道貴 リサーチアシスタント(東京大)、松前貴司 研究員、倉島優一 主任研究員、高木秀樹 総括研究主幹、日暮栄治 研究グループ長が、2019 International Conference on Electronics Packaging (ICEP)の発表で、JIEP Poster Awardを受賞しました。
   タイトル:Wafer scale Au-Au surface activated bonding using atmospheric-pressure plasma
詳細はこちらから
2020年6月14日 学会発表 6/14-19開催の国際会議「2020 Symposia on VLSI Technology and Circuits」にて岡博史研究員が発表しました。
   タイトル:Toward Long-coherence-time Si Spin Qubit: The Origin of Low-frequency Noise in Cryo-CMOS
詳細内容はこちらからご覧ください。

連絡先

国立研究開発法人 産業技術総合研究所 デバイス技術研究部門

〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第2
電話:029-861-3483  FAX:029-861-5088  Eメール: