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デバイス技術研究部門

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集積回路に用いられる材料、デバイス、作製プロセス、設計、および解析評価に関するコア技術を創出し、大規模データを利活用するための低消費電力メモリ・ロジック回路の開発、三次元集積化を先導するとともに、AIチップ等の集積回路設計技術、非ノイマン型情報システム、非連続な技術革新をもたらす量子コンピューティングや量子センシングに向けた量子デバイス作製技術や量子シミュレーション技術の創成にも取組んでいます。

また、変種変量生産に適した製造技術(ミニマルファブ)やマイクロ電子機械システム(MEMS)に関するコア技術開発等を通じて、社会ニーズに対応する各種高機能デバイスの実現、実用化を進めています。

これらの研究開発を推進するため、共用利用も可能なCMOS試作ライン、超伝導デバイス製造ライン(CRAVITY)、MEMSファウンドリー、ミニマルファブラインを運用しています。

当部門は、これらの成果の産業界や社会への橋渡しを実行し、わが国の半導体関連産業等の競争力を強化し、サイバーフィジカルシステムの高度化に貢献していきます。

更新情報

2020年9月16日 受賞 松前貴司 研究員が、the 2020 ECS Bruce Deal & Andy Grove Young Author Award を受賞しました。
   タイトル:Direct Bonding of an Electroformed Cu Substrate and Si Chip at Room Temperature under Atmospheric Conditions
詳細はこちらから
2020年9月2日 受賞 2020年9月、日暮栄治 研究グループ長、東颯人 リサーチアシスタント(東京大)、山本道貴 リサーチアシスタント(東京大)、松前貴司 研究員、倉島優一 主任研究員、高木秀樹 総括研究主幹が、第11回集積化MEMSシンポジウムの発表で、優秀論文賞を受賞しました。
   タイトル:チタン薄膜を用いたウェハ常温接合−キャップ層とナノシリコン層の導入−
詳細はこちらから
2020年8月12日 表彰 秋永総括研究主幹が、2020年度応用物理学会フェローとして表彰されることになりました。
   タイトル:機能性酸化物デバイスの研究開発とナノエレクトロニクス研究推進
詳細はこちらからご覧ください。
2020年7月1日 受賞 2020年6月、山本道貴 リサーチアシスタント(東京大)、松前貴司 研究員、倉島優一 主任研究員、高木秀樹 総括研究主幹、日暮栄治 研究グループ長が、2019 International Conference on Electronics Packaging (ICEP)の発表で、JIEP Poster Awardを受賞しました。
   タイトル:Wafer scale Au-Au surface activated bonding using atmospheric-pressure plasma
詳細はこちらから
2020年6月14日 学会発表 6/14-19開催の国際会議「2020 Symposia on VLSI Technology and Circuits」にて岡博史研究員が発表しました。
   タイトル:Toward Long-coherence-time Si Spin Qubit: The Origin of Low-frequency Noise in Cryo-CMOS
詳細内容はこちらからご覧ください。
2020年2月1日 受賞 2020年2月1日、岡博史研究員が第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会の発表で、安田賞を受賞しました。
   タイトル:フラッシュランプアニール法を用いたGeOI基板上固相成長GeSn n-MOSFETの作製
授賞の様子はこちらから
2020年1月7日 お知らせ 第8回 CRAVITYシンポジウム 兼 文部科学省 Q-LEAP量子情報処理技術領域 「超伝導量子コンピュータの研究開発」2019年度拠点交流会を開催します。
  開催日 : 2020年2月5日(水)
  開催場所 : 産業技術総合研究所 つくば中央地区第二事業所 2-12棟  2階第6会議室
詳細を部門イベントページに掲載しています。    
アクセス詳細はこちらからご覧ください。

連絡先

国立研究開発法人 産業技術総合研究所 デバイス技術研究部門

〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第2
電話:029-861-3483  FAX:029-861-5088  Eメール: