デバイス技術研究部門

受賞

　　

受賞	右田 真司総括研究主幹、太田 裕之研究グループ長、浅沼 周太郎主任研究員、森田 行則主任研究員、鳥海 明教授(東大)が第44回（2022年度）応用物理学会論文賞を受賞しました。
タイトル	Accelerated ferroelectric phase transformation in HfO2/ZrO2 nanolaminates
概要	掲載誌：Appl. Phys. Express 14 (2021) 051006

　　

受賞	齊藤雄太 主任研究員が第19回 日本金属学会村上奨励賞を受賞しました。
タイトル	機能性カルコゲナイド薄膜の材料評価とデバイス応用に関する研究
概要	テルル系カルコゲナイド材料の作製・評価・デバイス応用まで広範な研究を推進し、次世代エレクトロニクスの実現を見据えた材料開発に取り組んできた。代表的な成果として、スパッタ法による層状カルコゲナイドの高配向成膜技術の確立、超格子カルコゲナイドの抵抗変化機構の解明、遷移金属含有カルコゲナイドのデバイス応用等が挙げられる。これらは、カルコゲナイドを用いた新規電子デバイス開発を大きく促進するものとして国内外で高く評価されており、今後益々の飛躍が期待される。

　　

受賞	松前 主任研究員が2022/6/6-9開催の国際学会New Diamond and Nano Carbon2022で、Young Scholar Awardを受賞しました。
タイトル	Strong bonding formation between diamond and Si substrates
概要	ダイヤモンドは固体中最大の熱伝導率をもつため、半導体デバイスに対する放熱基板としての活用が期待されている。本グループは半導体デバイスとダイヤモンド放熱基板が、放熱の妨げとなる接着剤なく表面同士が原子レベルで結合した効果的な放熱構造に関する研究を進めている。今回反応プロセスの適切化により、一般的なエレクトロニクス機器に関する規格を満たす高強度のダイヤモンド/シリコン複合基板を実現した。

　　

受賞	超伝導デバイス研究グループの石塚知明テクニカルスタッフが、令和３年度の文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム 「技術スタッフ表彰・技術支援貢献賞」を受賞しました。
タイトル	産総研で開発した装置による技術支援（微細構造解析PF）
概要	詳細はこちらから

　　

受賞	魯 主任研究員および張 主任研究員がThe 7th International Conference on Nanomanufacturing(Nov. 17-19, 2021)で、Best Paper Awardを受賞しました。
タイトル	Design and Fabrication of Submicron Gaps for Au Nanofluid Enhanced Thermionic Emission Devices
概要	This paper presents design and fabrication of a submicron gap between two parallel electrode plates with the area of around 1cm2. In the gap, a nanofluid with 3-5 nm Au particles was successfully infilled, and then considerable electrical currents can be generated at low tem-perature. Glass/Au pillars with the diameter of 0.4 mm and pitch of 5 mm were used as spacer to control gap thickness as well as to avoid electrical shortage between electrodes. Evaluation results demonstrated good repeata-bility of the process and improved performance of the device.

　　

受賞	加藤公彦研究員（先端CMOS技術研究グループ）がエレクトロニクス・製造領域 次世代エレクトロニクス・製造技術討論会-10年後の産総研の看板研究を目指して-で、領域長賞を受賞しました。
タイトル	低消費電力集積回路に向けたシリコントンネル電界効果トランジスタ
概要

　　

受賞	浅井栄大　主任研究員が5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2021で、Best Paper Award (3rd Place)を受賞しました。
タイトル	Development of Integrated Device Simulator for Quantum Bit Design: Self-Consistent Calculation for Quantum Transport and Qubit Operation
概要	従来型コンピュータ用半導体素子（トランジスタ）開発では「TCADシミュレータ」を活用した素子設計が行われているが、近年注目を集めている量子コンピュータ用の半導体素子（量子ビット）開発では、シミュレーションツールが存在しないため、各研究者の経験に頼った設計が行われている。 本発表では、実用的な量子コンピュータの開発に寄与する高精度なシミュレーション技術として、産総研独自のTCAD（Impulse TCAD）を軸に各種量子シミュレーション技術を統合したシステムを開発し、単一電子輸送特性とラビ振動という二つの異なる基本特性を世界で初めて同時にシミュレーションする事に成功した。

　　

受賞	村田博雅 リサーチアシスタント（筑波大）が、日本学術振興会育志賞 を受賞しました。
タイトル	金属誘起層交換による多層グラフェン合成と薄膜二次電池応用
概要	詳細はこちらから

　　

受賞	堀洋平主任研究員が情報処理学会 情報企画調査会より、「国際規格開発賞」を受賞しました。
対象	ISO/IEC20897-1:2020   Information security, cybersecurity and privacy protection--Physically unclonable functions--Part1:Security requirements
概要

　　

受賞	牧野孝太郎研究員（システマティックマテリアルデザイン研究グループ）がエレクトロニクス・製造領域　若手発表会 において、領域長賞を受賞しました。
タイトル	相変化材料の赤外光・テラヘルツ波オフ゜トエレクトロニクス応用
概要

　　

受賞	岡博史（新原理デバイス研究グループ）研究員がエレクトロニクス・製造領域　若手発表会 において、領域長賞を受賞しました。
タイトル	シリコン量子コンピューターの性能を制限するノイズ発生源の特定
概要

　　

受賞	松前貴司 研究員が、the 2020 ECS Bruce Deal & Andy Grove Young Author Award　を受賞しました。
タイトル	Direct Bonding of an Electroformed Cu Substrate and Si Chip at Room Temperature under Atmospheric Conditions
概要	詳細はこちらから

　　

受賞	2020年9月、日暮栄治 研究グループ長、東颯人 リサーチアシスタント（東京大）、山本道貴 リサーチアシスタント（東京大）、松前貴司 研究員、倉島優一 主任研究員、高木秀樹 総括研究主幹が、第11回集積化MEMSシンポジウムの発表で、優秀論文賞を受賞しました。
タイトル	チタン薄膜を用いたウェハ常温接合−キャップ層とナノシリコン層の導入−
概要	応用物理学会集積化MEMS技術研究会のページはこちらから

　　

受賞	山本道貴 リサーチアシスタント（東京大）、松前貴司 研究員、倉島優一 主任研究員、高木秀樹 総括研究主幹、日暮栄治 研究グループ長が、2019 International Conference on Electronics Packaging (ICEP)の発表で、JIEP Poster Awardを受賞しました。
タイトル	Wafer scale Au-Au surface activated bonding using atmospheric-pressure plasma
概要	詳細はこちらから

　　

受賞	2020年2月1日、岡博史研究員が第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会の発表で、安田賞（名古屋大学安田名誉教授を冠した賞）を受賞しました。
タイトル	フラッシュランプアニール法を用いたGeOI基板上固相成長GeSn n-MOSFETの作製
概要

　　

受賞	更田裕司 主任研究員と森田行則 研究グループ長が、GCCE(Global Conference on Consumer Electronics)の発表で GCCE 2019 Excellent Demo! Award / Outstanding Prizeを受賞しました。
タイトル	Ultra-low Power Human Motion Detection Sensor Using Electrostatic Induction and Demonstration of Contactless Remote Light Switch
概要	詳細はこちらから

　　

受賞	2019年11月、猪狩朋也 リサーチアシスタント（筑波大）が第47回（2019年秋季）応用物理学会の講演奨励賞を受賞しました。   大分類科目： ビーム応用
講演題目	Graphene/h-BNを用いた原子層物質積層平面型電子源
受賞者以外の共著者	長尾 昌善1，三石 和貴3，佐々木 正洋2，山田 洋一2，村上 勝久1,2 (1.産総研，2.筑波大学，3.物材機構)

　　

受賞	2019年11月、関 優也 特別研究員が第14回（2020年）日本物理学会若手奨励賞 (Young Scientist Award of the Physical Society of Japan)を受賞しました。   領域１１： 物性基礎論，統計力学，流体物理，応用数学，社会経済物理
対象研究	Non-stoquastic 演算子による量子アニーリングの高速化
概要	対象論文   Y. Seki and H. Nishimori,"Quantum annealing with antiferromagnetic fluctuations" Phys. Rev. E 85, 051112 (2012)"

　　

受賞	2019年10月4日、ナノCMOS集積グループ　秋田一平主任研究員が、エレクトロニクス・製造領域　若手発表会 領域長賞を受賞しました。
タイトル	センサ・回路・情報処理の統合による知的センサコンピューティング
概要

　　

受賞	2019年9月3日、加藤公彦研究員が、SSDM 2019においてYoung Researcher Awardを受賞しました。
受賞論文	Impact of channel thickness fluctuation on performance of bilayer tunneling field effect transistors
概要	受賞者 :K. Kato2, H. Matsui1, H. Tabata1, M. Takenaka1, S. Takagi1 (1.Univ. of Tokyo , 2.Univ. of Tokyo(現:産総研))

　　

受賞	2019年7月1日、右田真司上級主任研究員が、第13回（2019年度） 応用物理学会フェロー表彰を受けました。(9月18日に表彰式が行われました）
タイトル	Si CMOS用薄膜結晶材料の相制御と応用に関する研究
概要

　　

受賞	2019年3月9日、齊藤 雄太 主任研究員が、第45回（2018年秋季）応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。
受賞論文	不揮発性メモリ用遷移金属相変化材料の電子構造の解明
概要	受賞者：須藤 祐司2，フォンス ポール1，コロボフ アレクサンダー1，進藤 怜史3，     畑山 祥吾2，雙 逸2，コジーナ ゼニア4，スケルトン ジョナサン5，小林 啓介6     1.産総研ナノエレ，2.東北大工，3.東北大工(現:長岡技科大)，4.ヘルムホルツ研，     5.バース大，6.JASRI

　　

受賞	2018年11月20日、安藤淳総括研究主幹が、平成30年度　日本表面真空学会（真空部門）技術賞を受賞しました。
受賞論文	吸引プラズマエッチング法を用いたSiO2ダイアフラム構造作製技術の開発
概要	受賞者：狩野諒1, 3，菅洋志1，新堀俊一郎2，高橋賢2，久保利隆3，安藤淳3，清水哲夫3，宮脇淳3     1:千葉工業大学，2:株式会社三友製作所，3:産総研 掲載号・頁：「J. Vac. Soc. Jpn.」 Vol.60-4　　148-152　　他

　　

受賞	2018年11月14日、クンプアン ソマワン主任研究員が、第66回 電気科学技術奨励賞を受賞しました。
タイトル	超小型IoT半導体開発・生産システム・ミニマルファブの実用化
概要

　　

受賞	2018年10月1日、右田真司上級主任研究員が、第232回 ECS Meeting (National Harbor, MD, fall 2017)で開催された“Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 15: In Memory of Samares Kar” シンポジウムで行った講演について best paper awardを受賞し、今年開催されたAiMES2018において表彰されました。
タイトル	Relationship between Ferroelectricity and Electrical Breakdown in Hf-Zr-O Thin Films
概要

　　

受賞	2018年9月10日、村上勝久主任研究員がエレクトロニクス・製造領域　若手発表会 領域長賞を受賞しました。
タイトル	絶縁基板上へのグラフェン直接合成技術を用いた低電圧・大気圧で動作可能な超高効率グラフェン平面電子源の開発
概要

　　

受賞	2018年4月16日、前澤正明主任研究員が未踏科学技術協会第22回超伝導科学技術賞を受賞し、タワーホール船堀にて授賞式が行われました。
タイトル	超伝導回路によるボルツマン定数の絶対測定と国際単位系改定への貢献
概要	受賞者 : 前澤正明、浦野千春、山澤一彰、金子晋久（浦野さん、山澤さん、金子さんは産総研・物理計測標準研究部門所属）

　　

受賞	2018年3月22日、前澤正明主任研究員が2017年度エレクトロニクスソサイエティ活動功労表彰を受けました。
タイトル	アドホック幹事として100年コンテンツワーキンググループの活動に貢献
概要	受賞者 : 前澤正明

受賞	2018年4月19日、猪股邦宏主任研究員が日本学術振興会超伝導エレクトロニクス第146委員会賞を受賞し、学士会館本館にて授賞式が行われました。
タイトル	超伝導エレクトロニクス
概要	受賞者 : 猪股邦宏        第146委員会賞は、超伝導エレクトロニクス分野の研究・開発において貢献し、また顕著な業績をあげた者に対して授与されます。

受賞	2018年4月16日、猪股邦宏主任研究員が未踏科学技術協会第22回超伝導科学技術賞を受賞し、タワーホール船堀にて授賞式が行われました。
タイトル	マイクロ波単一光子検出器の提案と実証
概要	受賞者 : 猪股邦宏、LIN Zhirong （理化学研究所）、山本剛（日本電気株式会社）、越野和樹（東京医科歯科大学）、中村泰信 （東京大学/理化学研究所）          本受賞は、猪股主任研究員が理化学研究所在籍時に共同研究者らと取り組んだ研究の成果に対するものです。

受賞	2017年11月16日-17日に開催された第29回 Symposium on Phase Change Oriented Scienceにおいて、 ミトロファノフ・キリル研究員がPCOS 2017 Best Paper Awardを受賞しました。
タイトル	Multi-level switching in GeTe/Sb2Te3　based iPCM
概要	受賞者 : Kirill V. Mitrofanov

受賞	2017年9月3日-5日に開催されたEuropean Phase Change and Ovonic Symposium E/PCOS 2017において、 ミトロファノフ・キリル研究員がBest Poster Awardを受賞しました。
タイトル	Multi-level switching in GeTe/Sb2Te3 iPCM
概要	受賞者 : Kirill V. Mitrofanov

受賞	2017年10月24日-27日に開催されたIEEE GCCE (Global Conference on Consumer Electronics) 2017において、片下主任研究員が2nd Prize, IEEE GCCE 2017 Excellent Demo! Awardを受賞しました。
タイトル	Prototype of USB Stick-sized PUF Module for Authentication and Key Generation
概要	受賞者 : 片下　敏宏

受賞	2017年11月6日-8日に開催された電子情報通信学会「デザインガイア2017」において、大内主任研究員が最優秀ポスター賞を受賞しました。
タイトル	情報落ちを考慮した短ビット長フォーマットによるDCNNトレーニングの検討
概要	受賞者 : 大内　真一

受賞	2017年9月5日-8日に開催された第78回応用物理学会秋期学術講演会において、長尾研究グループ長がポスターアワードを受賞しました。
タイトル	ミニマルファブを用いたエレクトロスプレースラスタの試作
概要	受賞者：長尾昌善、井上直樹（横浜国大 技術研修生）、鷹尾祥典（横浜国大）、辰巳憲之、村上勝久、クンプアンソマワン、原史朗 大分類分科名：13.半導体、講演番号:8p-PA2-11 応用物理学会のページ

受賞	連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター（GNC、2009-2013年度） の成果をまとめた論文が2016年度応用物理学会優秀論文賞を受賞しました。
タイトル	Operation of inverter and ring oscillator of ultrathin-body poly-Ge CMOS
概要	受賞者 : 鎌田善己（東芝），小池正浩（東芝），黒澤昌志（名古屋大学），太田裕之（産業技術総合研究所），中塚理（名古屋大学），財満鎭明（名古屋大学），手塚勉（東芝）   掲載号 : Appl. Phys. Express 7 (2014) 121302

受賞	2016年8月22日-25日に開催されたIEEE Nano2016(開催地・仙台）において、産総研クロスアポイントの成果である中性粒子ビームの超低損傷ゲルマニウム加工の論文がBest paper Awardを受賞しました。
タイトル	Defect-Free Germanium Etching for 3D Fin MOSFET Using Neutral Beam Etching
概要	受賞者 : En-Tzu Lee, Shuichi Noda, Wataru Mizubayashi, Kazuhiko Endo, Seiji Samukawa

受賞	富永淳二首席研究員が第13回　本多フロンティア賞を受賞しました。
タイトル	低消費電力型超格子相変化メモリの開発と、そのトポロジカル物性の発見
概要	2016年5月27日（金）、学士会館（東京・神田）において、贈呈式および記念講演が行われました。     本多フロンティア賞については、こちらをご覧ください。

受賞	2015年10月29-30日に開催された第51回Ｘ線分析討論会（開催地：姫路市）にて、超伝導分光エレクトロニクスグループ  志岐成友主任研究員が第10回浅田榮一賞を受賞しました。
タイトル	超伝導トンネル接合素子をアレイ化したピクセル検出器の開発と軽元素Ｋ吸収スペクトロスコピーへの実用化
概要

受賞	2015年9月27-30日に開催されたSSDM2015（開催地：札幌市）にて、新材料デバイス集積グループ  主任研究員  太田裕之とナノCMOS集積グループ  テクニカルスタッフ  黒澤悦男がベストペーパーアワードを受賞しました。
タイトル	Operations of CMOS Inverter and Ring Oscillator Composed of Ultra-Thin Body Poly-Ge p- and n-MISFETs for Stacked Channel 3D-IC
概要	比較的高い移動度でありながら、シリコンウエハーよりも低コストでの量産が期待される多結晶ゲルマニウム オンインシュレーターウエハー(GeOI)上にn型とp型のトランジスを試作し、良好な動作特性を実証しました。 また、Ge CMOSとして、世界に先駆けてインバーター動作、リングオッシレーター動作に成功致しました。現在、素子の微細化に頼るトランジスタの集積化は物理的限界に近づいています。 今回の成果は、微細化には頼らない、トランジスタの3次元積層による高集積化の可能性に道を開くものです。   発表：2014 International Conference on Solid-State Devices and Materials、p. 668.

受賞	2015年7月13-17日に開催された（開催地：中国広州）28th International Vacuum Nanoelectronics Conferenceにて、 カスタムデバイスグループ  長尾昌善研究グループ長がベストポスターアワードを受賞しました。
タイトル	Beam profile measurement of volcano-structured double-gated Spindt-type field emitter arrays
概要	A flat panel compact image sensor consisting of field emitter array (FEA) and CdTe photo-detector is proposed for a radiation tolerant compact camera that will be used in high radiation environment such as nuclear reactors. For this application, FEA should be driven in matrix mode and should have focusing electrode to obtain fine electron beam. We have presented fabrication of volcano-structured double-gated Spindt-type FEA (VDGS-FEA), in the last IVNC. In this paper, we will report on the beam focusing characteristics of VDGS-FEA. Basically, the fabrication of VDGS-FEA is almost same as previously reported one except for the point that emitter tip is made of Mo. Electron beam profile was measured by scanning a 40-μm-wide slit electrode located about 1mm above the FEA sample. Detailed experimental setup and results will be discussed in the presentation.