aistlogo

    

 人材募集  アクセス  関連サイト  お問い合わせ

デバイス技術研究部門

デバイス技術研究部門

産総研ホーム > 組織 > デバイス技術研究部門  > 研究部門概要
 

部門の紹介

 デバイス技術研究部門は、以下の研究課題に取り組んでいます。
  
集積回路に用いられる材料、デバイス、作製プロセス、設計、および解析評価に関するコア技術を創出し、大規模データを利活用するための低消費電力メモリ・ロジック回路の開発、三次元集積化を先導するとともに、AIチップ等の集積回路設計技術、非ノイマン型情報システム、非連続な技術革新をもたらす量子コンピューティングや量子センシングに向けた量子デバイス作製技術や量子シミュレーション技術の創成にも取組んでいます。 また、変種変量生産に適した製造技術(ミニマルファブ)やマイクロ電子機械システム(MEMS)に関するコア技術開発等を通じて、社会ニーズに対応する各種高機能デバイスの実現、実用化を進めています。 これらの研究開発を推進するため、共用利用も可能なCMOS試作ライン、超伝導デバイス製造ライン(CRAVITY)、MEMSファウンドリー、ミニマルファブラインを運用しています。

部門紹介パンフレット

    旧ナノエレクトロニクス部門をご紹介したパンフレットをご覧ください。(画像をクリックいただくとPDFにリンクします)


ナノエレクトロニクス部門パンフレット



CMOSパンフレット

Cravityパンフレット

HIM顕微鏡パンフレット

連絡先

国立研究開発法人 産業技術総合研究所 デバイス技術研究部門

〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第2
電話:029-861-3483  Eメール: