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エレクトロニクス・製造分野
  集積回路に用いられる材料、デバイス、作製プロセス、設計、及び、解析評価に関するコア技術を創出し、大規模化・多様化するデータ利活用の超低消費電力化を先導します。また、インフラ診断等の社会ニーズに対応する高性能センシングや市場ニーズに柔軟に対応するデバイス製造・回路設計を、超伝導、ミニマルファブ、FPGA等の技術を応用して開発します。これらの成果の産業界や社会への橋渡しを実行して我が国の半導体関連産業の競争力を強化し、様々な分野におけるイノベーション創出の基盤である情報通信プラットフォームの高度化と高効率化に貢献します。
 

更新情報

 
2020年2月1日 受賞 2020年2月1日、岡博史研究員が第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会の発表で、安田賞を受賞しました。
   タイトル:フラッシュランプアニール法を用いたGeOI基板上固相成長GeSn n-MOSFETの作製
授賞の様子はこちらから
2020年1月7日 お知らせ 第8回 CRAVITYシンポジウム 兼 文部科学省 Q-LEAP量子情報処理技術領域 「超伝導量子コンピュータの研究開発」2019年度拠点交流会を開催します。
  開催日 : 2020年2月5日(水)
  開催場所 : 産業技術総合研究所 つくば中央地区第二事業所 2-12棟  2階第6会議室
詳細を部門イベントページに掲載しています。    
アクセス詳細はこちらからご覧ください。
2019年12月4 日 受賞 更田 裕司 主任研究員と森田 行則 研究グループ長が、GCCE(Global Conference on Consumer Electronics)の発表で GCCE 2019 Excellent Demo! Award / Outstanding Prizeを受賞しました。
  タイトル: "Ultra-low Power Human Motion Detection Sensor Using Electrostatic Induction and Demonstration of Contactless Remote Light Switch"
詳細はこちらから
2019年11月20 日 受賞 猪狩 朋也 リサーチアシスタント(筑波大)が第47回(2019年秋季)応用物理学会の講演奨励賞を受賞しました。
  大分類科目: ビーム応用
  講演題目:Graphene/h-BNを用いた原子層物質積層平面型電子源
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2019年11月5 日 受賞 関 優也 特別研究員が第14回(2020年)日本物理学会若手奨励賞 (Young Scientist Award of the Physical Society of Japan)を受賞しました。
  領域11: 物性基礎論,統計力学,流体物理,応用数学,社会経済物理 
  対象研究:Non-stoquastic 演算子による量子アニーリングの高速化
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2019年10月4日 受賞 秋田 一平 主任研究員が、10/4に開催された、エレクトロニクス・製造領域 若手発表会で領域長賞を受賞しました。
タイトル:センサ・回路・情報処理の統合による知的センサコンピューティング
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2019年9月3日 受賞 加藤 公彦 研究員が、SSDM 2019においてYoung Researcher Awardを受賞しました。
受賞論文: Impact of channel thickness fluctuation on performance of bilayer tunneling field effect transistors
2019年7月3日 プレスリリース 窒化ガリウムマイクロLEDの発光効率を低電流密度で5倍に高効率化 −高効率・高解像度のマイクロLEDディスプレーの実現に一歩前進−
2019年7月1日 受賞 右田真司上級主任研究員が、第13回(2019年度) 応用物理学会フェロー表彰を受けました。9月18日に表彰式が予定されています。
表彰タイトル:Si CMOS用薄膜結晶材料の相制御と応用に関する研究 
2019年5月10日 プレスリリース 少量生産システム(ミニマルファブ)で集積回路の試作に成功 −JAXAと産総研がミニマルファブで製造した集積回路の宇宙機搭載へ道を拓く−
2019年3月9日 受賞 齊藤 雄太 主任研究員が、第45回(2018年秋季)応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。
受賞論文:不揮発性メモリ用遷移金属相変化材料の電子構造の解明
受賞の詳細はこちらから
2019年3月1日 お知らせ 2019年3月1日付で、NEC-産総研量子活用テクノロジー連携研究室が設立されました。
関連プレスリリースはこちらからご覧ください。
2019年1月24日 プレスリリース シリコン量子ビットの高温動作に成功 −大型冷却装置が不要に、センサーなど幅広い量子ビット応用へ−
2019年1月9日 お知らせ 第7回CRAVITY  シンポジウムを開催します。
  開催日時 : 2018年2月15日(金) 13:00-16:55(予定)
  開催場所 : 産業技術総合研究所 つくば中央二第6会議室(2-12棟)
詳細を部門イベントページに掲載しています。    
アクセス詳細はこちらからご覧ください。
2018年11月20日 受賞 安藤淳総括研究主幹が、平成30年度 日本表面真空学会(真空部門)技術賞を受賞しました。
受賞論文:吸引プラズマエッチング法を用いたSiO2ダイアフラム構造作製技術の開発
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2018年11月14日 受賞 クンプアン ソマワン主任研究員が、第66回 電気科学技術奨励賞を受賞しました。
タイトル:超小型IoT半導体開発・生産システム・ミニマルファブの実用化
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2018年10月10日 受賞 右田真司上級主任研究員が、第232回 ECS Meetingで開催された “Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 15: In Memory of Samares Kar” シンポジウムで行った講演について best paper awardを受賞しました。
タイトル:Relationship between Ferroelectricity and Electrical Breakdown in Hf-Zr-O Thin Films
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2018年9月12日 受賞 村上勝久主任研究員が、 エレクトロニクス・製造領域 若手発表会 領域長賞 を受賞しました。
タイトル:絶縁基板上へのグラフェン直接合成技術を用いた低電圧・大気圧で動作可能な超高効率グラフェン平面電子源の開発
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2018年8月7日 お知らせ 2018年7月21日(土)産総研つくばセンター一般公開にて チャレンジコーナーNO.37「手作りコンピューター最初の一歩 ラムちゃんとリングくんボードを作ってみよう」を出展しました。
   18組×4回、合計72組の方にご参加いただき、工作と展示をお楽しみいただきました。
   参加くださった皆様、ご協力の皆様、ありがとうございました。 詳細はこちらからご覧ください。
2018年7月18日 お知らせ 2018年7月21日(土)産総研つくばセンター一般公開にて チャレンジコーナーNO.37「手作りコンピューター最初の一歩 ラムちゃんとリングくんボードを作ってみよう」を出展します。
   つくばセンター一般公開詳細ページはこちらから
   昨年の様子はこちらからご覧ください。
2018年7月3日 受賞 前澤正明主任研究員が、 未踏科学技術協会第22回超伝導科学技術賞を受賞しました。
タイトル:超伝導回路によるボルツマン定数の絶対測定と国際単位系改定への貢献
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2018年7月3日 受賞 前澤正明主任研究員が、 平成29年度エレクトロニクスソサイエティ活動功労表彰を受けました。
タイトル:アドホック幹事として100年コンテンツワーキンググループの活動に貢献
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2018年5月30日 プレスリリース 機械学習での訓練処理の時間を最大1/5に短縮する計算方式と回路 −サービス最適化を高速化して、事業者のビジネスチャンス拡大に貢献−
2018年5月9日 受賞 猪股邦宏主任研究員が、 日本学術振興会超伝導エレクトロニクス第146委員会賞を受賞しました。
タイトル:超伝導エレクトロニクス
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2018年5月9日 受賞 猪股邦宏主任研究員が、未踏科学技術協会第22回超伝導科学技術賞を受賞しました。
タイトル:マイクロ波単一光子検出器の提案と実証
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2018年4月3日 受賞 European symposium on Phase-Change and Ovonic Sciences 2017において、ミトロファノフ・キリル研究員が Best Poster Awardを受賞しました。 発表題目:"Multi-level switching in GeTe/Sb2Te3 iPCM"
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2018年4月3日 受賞 The 29th Symposium on Phase Change Oriented Scienceにおいて、ミトロファノフ・キリル研究員が Best Paper Awardを受賞しました。 発表題目:"Multi-level switching in GeTe/Sb2Te3 based iPCM"
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2018年2月7日 プレスリリース 光子・粒子・電磁波用超伝導検出器の画素数を飛躍的に増大する読出回路−新回路で、小型・低消費電力・廉価な汎用型高性能計測器の実現へ−
2018年1月24日 受賞 IEEE GCCE (Global Conference on Consumer Electronics) 2017において、片下研究員が2nd Prize, IEEE GCCE 2017 Excellent Demo! Awardを受賞しました。 発表題目:"Prototype of USB Stick-sized PUF Module for Authentication and Key Generation"
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2018年1月9日 お知らせ 第6回CRAVITY  シンポジウムを開催します。
  開催日 : 2018年2月7日(水)、2月8日(木)
  開催場所 : 産業技術総合研究所 つくば中央 2-1D棟8階  大会議室
詳細を部門イベントページに掲載しています。    
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連絡先

国立研究開発法人 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第2
電話:029-861-3483 FAX:029-861-5088 Eメール: