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過去の更新情報

2017年11月15日 受賞 電子情報通信学会「デザインガイア2017」において、大内主任研究員が最優秀ポスター賞を受賞しました。 発表題目「情報落ちを考慮した短ビット長フォーマットによるDCNNトレーニングの検討」
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2017年9月5日 お知らせ 第3回内閣府SIP革新的構造材料 先端計測拠点 TIA-Fraunhofer  合同シンポジウムを開催します。
  開催日 : 2017年10月3日(火)〜10月5日(木)
  開催場所 : 産業技術総合研究所 つくばセンター 共用講堂  大会議室

詳細はこちらからご覧ください。     English pageはこちらから。
部門イベントページにも掲載しています。

2017年8月9日 お知らせ 2017年7月22日(土)産総研つくばセンター一般公開にて チャレンジコーナー「手作りコンピューター最初の一歩 ラムちゃんとリングくんボードを作ろう」を出展しました。
   18組×4回、合計72組の方にご参加いただき、工作と展示をお楽しみいただきました。
   参加くださった皆様、ご協力の皆様、ありがとうございました。 詳細はこちらからご覧ください。
2017年7月11日 お知らせ 2017年7月22日(土)産総研つくばセンター一般公開にて チャレンジコーナーNO.29「手作りコンピューター最初の一歩 ラムちゃんとリングくんボードを作ろう」を出展します。
   つくばセンター一般公開詳細ページはこちらから
   昨年の様子はこちらからご覧ください。
2017年6月20日 プレスリリース ゲルマニウム単結晶の超薄膜化により電子移動度が飛躍的に向上 −集積回路の高速化と低消費電力化に貢献−
2017年6月13日 お知らせ 第23回国際交流会議「アジアの未来」晩餐会の安倍首相スピーチにおいてクンプアン・ソマワン主任研究員が紹介されました。
産総研ニュース記事はこちらからご覧ください。
2017年5月10日 採用情報 人材募集:     公募課題名は以下の4課題です。
  
【テニュアトラック型またはパーマネント型】
  • DEV-1 「ロジックおよびメモリ回路の低消費電力化と三次元集積に関する研究開発」
  • SDEV-1 「ポストムーア超高性能計算機の技術分野横断的開発」

  • 【年俸制】
  • PDEV-1  「ウエハレベル三次元集積技術の研究開発」
  • PMANU-1 「ミニマルファブを用いたデバイス製造のための設計・プロセス技術開発」

  • 詳細はこちらからご覧ください。
    2017年1月13日 プレスリリース 抵抗変化メモリーの挙動を電流ノイズから解明 −不揮発性メモリーの用途拡大へ向けて−
    2016年12月7日 プレスリリース 新原理のトランジスタを用いた集積回路の動作を実証 −超低消費電力集積回路の実用化に向けて前進−
    2016年11月2日 お知らせ 酒井滋樹招聘研究員が編集者の一人である書籍 "Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications" (Topics in Applied Physics Volume 131, Springer)が発刊されました。 この本の2章と13章を、高橋光恵主任研究員と酒井招聘研究員が執筆していま す。出版社ページはこちらから
    2016年10月18日 受賞 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター(GNC、2009-2013年度) の成果をまとめた論文が2016年度応用物理学会優秀論文賞を受賞しました。
    詳細はこちらから
    2016年10月12日 プレスリリース 従来の限界を超える高温環境で動作する不揮発性メモリー −人類が初めて手にする600 ℃超での書き換え・記録技術−
    2016年10月12日 受賞 産総研クロスアポイントの成果である中性粒子ビームの超低損傷ゲルマニウム加工の論文がIEEE Nano2016(2016年8月22日-25日、仙台)において、Best paper Awardを受賞しました。
    詳細はこちらから
    2016年9月13日 お知らせ Alexander V.Kolobov首席研究員と富永淳二首席研究員による、二次元層状物質として注目を集める遷移金属ダイカルコゲナイドについての共著"Two-Dimensional Transition-Metal Dichalcogenides"が、Springer Series in Materials Science 239として出版されました。 出版社ページはこちらから
    2016年8月17日 お知らせ 第2回 革新的構造材料のための先端計測拠点国際会議/ 2nd SIP-IMASM International Symposiumを開催します。
      開催日 : 2016年9月27日(火)〜9月29日(木)
      開催場所 : 産業技術総合研究所 つくば中央2-12棟 第6会議室

    詳細はこちらから

    2016年8月17日 お知らせ 2016年7月23日(土)産総研つくばセンター一般公開にて チャレンジコーナー「手作りコンピューター最初の一歩 ラムちゃんとリングくんボードを作ろう」を出展しました。
       18人×4回、合計72名の方にご参加いただき、工作と展示をお楽しみいただきました。
       参加くださった皆様、ご協力の皆様、ありがとうございました。 詳細はこちらから
    2016年6月29日 お知らせ 2016年7月23日(土)産総研つくばセンター一般公開にて チャレンジコーナーNO.28「手作りコンピューター最初の一歩 ラムちゃんとリングくんボードを作ろう」を出展します。
       つくばセンター一般公開詳細ページはこちらから
       昨年の様子はこちらからご覧ください。
    2016年6月28日 お知らせ 2016年6月20日(月)コクヨホールにて、産総研STARシンポジウム「超省電力データ処理ハードウェアの新潮流と将来像」を開催しました。
       多くの方のご参加ありがとうございました。
       当日の資料がこちらからご覧いただけます。
    2016年6月1日 受賞 富永淳二首席研究員が「低消費電力型超格子相変化メモリの開発と、そのトポロジカル物性の発見」の研究業績により、2016年度本多フロンティア賞を受賞、5月27日贈呈式が行われました。
    詳細はこちらから
    2016年4月26日 お知らせ 産総研STARシンポジウム「超省電力データ処理ハードウェアの新潮流と将来像」を開催します。
      開催日 : 2016年6月20日(月)
      開催場所 : コクヨホール
    詳細はこちらから
    2016年4月20日 お知らせ International Workshop on Superconducting Sensors and Detectors(IWSSD) 2016を開催します。
      開催日 : 2016年11月14日(月)〜17日(木)
      開催場所 : 産業技術総合研究所
    詳細はこちらから
    2016年4月6日 採用情報 人材募集     公募課題名は以下の通りです。
      
    1.微細トランジスタ、スピントロニクス素子、超伝導体デバイス等の集積化およびシミュレーションに関する研究開発
    2. 三次元集積技術の研究開発
    2016年2月24日 受賞 富永淳二首席研究員が「低消費電力型超格子相変化材料の発見と低消費電力型メモリの開発」の研究業績により、2016年度本多フロンティア賞を受賞しました。
    2016年2月13日 プレスリリース 「原子の瞬間移動のサブ・ナノメートルの分解能での実時間観測に成功−X線自由電子レーザー「SACLA」の有効性を実証−」
    2016年1月26日 プレスリリース 「偽造できないセキュリティータグを有機エレクトロニクスで実現−有機デバイスの個性で秘密を守る−」
    2015年12月8日 プレスリリース 「半導体チップの偽造を防ぐ素子や回路を開発−「ICの指紋」を3倍以上の安定性で発生−」
    2015年11月10日 受賞 10月29-30日に開催された第51回X線分析討論会(開催地:姫路市)にて、超伝導分光エレクトロニクスグループ  志岐成友主任研究員が第10回浅田榮一賞を受賞しました。

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    2015年10月16日 お知らせ 第4回CRAVITYシンポジウム/The Fourth CRAVITY Symposium
    を開催します。


    開催日 : 2015年11月19日(木)
    開催場所 : 産業技術総合研究所 つくば中央第一 共用講堂大会議室

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    終了しました
    2015年10月15日 受賞 9月27-30日に開催されたSSDM2015(開催地:札幌市)にて、新材料デバイス集積グループ  主任研究員  太田裕之と ナノCMOS集積グループ  テクニカルスタッフ  黒澤悦男がベストペーパーアワードを受賞しました。

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    2015年8月11日 お知らせ 革新的構造材料のための先端計測拠点国際会議(SIP-IMASM2015)/ 1st Symposium on Innovative Measurement and Analysis for Structural Materials (SIP-IMASM2015)
    を開催します。


    開催日 : 2015年9月29日(火)〜10月1日(木)
    開催場所 : 産業技術総合研究所 つくば中央第一 共用講堂


    終了しました

    2015年8月7日 お知らせ 産業技術総合研究所 計測フロンティア研究部門/ナノエレクトロニクス研究部門主催による 「第3回CRAVITYシンポジウム」
    終了しました
    2015年8月7日 受賞 7月13-17日に開催された(開催地:中国広州)28th International Vacuum Nanoelectronics Conferenceにて、 カスタムデバイスグループ  長尾昌善研究グループ長がベストポスターアワードを受賞しました。

    詳細はこちらから

    2015年7月27日 イベント 産総研つくばセンター一般公開(7月18日開催)に出展しました。
    2015年7月15日 プレスリリース 国立大学法人豊橋技術科学大学と産業技術総合研究所がミニマル製造技術を活用する「AIST-TUT先端センサ共同研究ラボラトリー」を設置
    2015年6月18日 プレスリリース 「ニホウ化マグネシウム超伝導体で生体高分子を検出−省エネ・小型の冷凍機で作動できる超伝導分子検出器−」
    2015年4月1日 お知らせ 第四期中長期計画開始にともない、研究グループを一部再編しました。
    2014年12月18日 プレスリリース 「超低電圧で動作するトンネルトランジスタの高性能化と長寿命を実証−大規模なセンサーネットワークへの応用に期待−」
    2014年12月18日 プレスリリース 「多結晶ゲルマニウムトランジスタの性能を大幅に向上−積層型3次元集積回路の実現に貢献−」
    2014年12月18日 プレスリリース 「ノイズを劇的に低減した立体型トランジスタを実現−アナログ集積回路の小型化と高性能化につながる技術−」
    2014年10月16日 受賞 IEEE S3S Conference 2014において、小池 帆平エレクトロインフォマティックスグループ長が)ベストペーパーアワードを受賞しました。
    タイトル:More than an Order of Magnitude Energy Improvement of FPGA by Combining 0.4V Operation and Multi-Vt Optimization of 20k Body Bias Domains
    概要: SOTBプロセスにより電源電圧0.4Vまでの低電圧動作が可能なFlex Power FPGA試作チップを開発し、 各種電源電圧/バイアス条件での評価を行った。実チップの測定により、0.4Vの低電圧動作と、 Flex Power FPGAによる細粒度なしきい値制御を組み合わせることにより、サイクルあたりの動作エネルギーを1/13に削減できることを示した。
    2015年1月28日 お知らせ 産業技術総合研究所 デバイス計測コンソーシアム主催による
    「デバイス計測シンポジウム」
    終了しました
    2014年7月11日 お知らせ 産業技術総合研究所主催による
    ICAM3D-2014
    終了しました
    2014年1月10日 お知らせ 産業技術総合研究所 デバイス計測コンソーシアム主催による
    「デバイス計測シンポジウム」
    終了しました
    2014年2月25日 お知らせ 産業技術総合研究所 計測フロンティア研究部門/ナノエレクトロニクス研究部門主催による
    「第2回CRAVITYシンポジウム」
    終了しました
    2014年1月10日 お知らせ 産業技術総合研究所 デバイス計測コンソーシアム主催による
    「デバイス計測シンポジウム」
    終了しました
    2013年12月12日 プレスリリース 「多結晶ゲルマニウムでp、n両極性のトランジスタ動作に成功−低温積層CMOSによる3次元LSIの実現に大きく前進−」
    2013年12月12日 プレスリリース 「カーボンナノチューブのインプラントによる新たな配線作製技術−LSI配線やシリコン貫通電極への応用に期待−」
    2013年12月11日 プレスリリース 「20 nm幅の高性能なグラフェン微細配線を開発−LSI銅微細配線の代替に期待−」
    2013年12月10日 プレスリリース 「InGaAsトランジスタの性能向上のための新構造を開発−集積回路の大幅な低消費電力化に期待−」
    2013年12月9日 プレスリリース 「信頼性を大幅に向上させた低抵抗ソース・ドレイン形成技術−高温イオン注入技術により極薄フィン部分を低抵抗化−」
    2013年12月9日 プレスリリース 「ナノメートル・スケールトランジスタ動作中温度の正確な測定に成功−次世代半導体集積回路の長期間安定動作へ道−」
    2013年10月25日 プレスリリース 「狭い間隔で電子部品を実装する技術により高機能インターポーザーを開発 −消費電力が極めて少ない電子回路に対応できる電源回路特性−」
    2013年1月23日 更新 PECST-AIST関連サイトに追加しました。

    2012年12月4日

    更新 産業技術総合研究所 デバイス計測コンソーシアム主催による
    「デバイス計測シンポジウム」を2012/12/7に開催します

    2012年9月25日

    プレスリリース 「ポリマー上でシリコンの性能を超えるトランジスタを作製」

    2012年9月25日

    プレスリリース 「グラフェンの新しい伝導制御技術を開発」

    2012年9月25日

    プレスリリース 「トンネル電界効果トランジスタの素子動作モデルを開発」

    2012年9月11日

    プレスリリース 「 微細シリコンデバイスのための3次元応力解析シミュレーター」

    2012年6月11日

    プレスリリース 「 高性能ひずみゲルマニウムナノワイヤトランジスタを実現」
    2012年4月1日 お知らせ 相転移新機能デバイスグループシリコンフォトエレクトロニクスグループが発足。 強誘電メモリグループは新材料・機能インテグレーショングループに統合しました。

    2011年12月8日

    プレスリリース 「14 nm世代立体型トランジスタの特性ばらつきの主要因を解明」

    2011年11月22日

    更新 新材料・機能インテグレーショングループのHPをアップしました

    2011年10月14日

    プレスリリース 「相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果が出現」
    2011年9月28日 受賞 SSDM 2011 Award 受賞    − 関川敏弘(エレクトロインフォマティックスグループ)

    2011年9月28日

    プレスリリース 「高性能な64kb強誘電体NANDフラッシュメモリーアレイを作製」

    2011年9月27日

    プレスリリース 「世界初の高品質ゲルマニウムプラットフォーム基板を実現」

    2011年9月26日

    プレスリリース 「シリコンチップの放熱特性評価技術の開発」
    2011年9月26日 受賞 MES2010ベストペーパー賞 受賞    −3D集積システムグループ
    2011年7月4日 論文発表 「Interfacial phase-change memory」をNature Nanotechnologyに発表
    2011年6月16日 プレスリリース 「トランジスタの接合位置をサブナノメートルの精度で制御」
    シリコンナノデバイスグループが発表
    2011年6月16日 プレスリリース 「世界初の次世代高性能III-V/Ge CMOSトランジスタの実現」
    を発表
    2011年5月9日 お知らせ Webページ開設
    2011年4月1日 プレスリリース 「平成23年度 研究推進組織の新設と再編について」
    2011年4月1日 お知らせ ナノエレクトロニクス研究部門設立