デバイス技術研究部門

Impulse TCADは今後の半導体デバイスの動向に対応するために、 産総研が独自に開発した、半導体デバイスシミュレータです。 物理モデルを組み込み易くするための自動微分と、 大規模解析を可能にする並列解析を備えています。

"A TCAD device simulator for exotic materials and its application to a negative-capacitance FET", Tsutomu Ikegami, Koichi Fukuda, Junichi Hattori, Hidehiro Asai, and Hiroyuki Ota, J. Comp. Elec. 18, 534-542 (2019). https://doi.org/10.1007/s10825-019-01313-7

産総研ナノエレクトロニクス部門では、Impulse TCADを用いて世界で初めてNegative Capacitance FETの経時解析に成功しました。(Ota et al. IEDM2016-2018)
図はNegative Capacitance FETに与える電極電圧を変えた時のデバイス内の静電ポテンシャル分布です。

このNegative Capacitance FETの解析画像は、可視化ソフトウェアの動画例として紹介されました。
http://www.cybernet.co.jp/avs/example/category/material.html#38

NEDOのIoT技術開発加速のためのオープンイノベーション推進事業の助成を受けて開発されたGraphical User Interface (GUI)が実装されています。


マスクパターンからデバイス構造を作成するエディタ(左)と それを用いて作成したデバイス構造(右)