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デバイス技術研究部門

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プレスリリース

デバイス技術研究部門のプレスリリースをご覧いただけます。

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発表・掲載日 2023年6月14日
タイトル 量子センサを自在に並べる!
  ―狙った位置にナノサイズの“方位磁針”をつくる ―
成果元 先端デバイスプロセス研究グループ
発表・掲載日 2023年6月12日
タイトル 大規模集積量子コンピューター制御回路のトランジスタが演算性能を低下させる起源を特定
  ― 高性能量子コンピューターの実用化に向けて1回の実行あたりの演算回数を増大させる技術の開発に道筋 ―
成果元 先端デバイスプロセス研究グループ、新原理デバイス研究グループ
発表・掲載日 2022年12月5日
タイトル
新しい相変化材料を用いた低損失不揮発光位相器を開発
  ―シリコン光回路を用いた深層学習や量子計算への応用に期待 ―( JST CRESTのウェブサイトにも掲載)
成果元 システマティックマテリアルズデザイングループ
発表・掲載日 2022年3月22日
タイトル
複数のAIアクセラレータを搭載した実証チップ「AI-One」の動作を確認 
−従来比45%以下の短期間で低コストのAIチップ設計・評価が可能に−
成果元 AIチップ設計拠点
発表・掲載日 2022年2月19日
タイトル
高感度・広帯域計測が可能な低消費電力磁気センサーを開発 
−磁気インピーダンス素子に最適なセンシング回路により電力効率が大幅に向上−
成果元 先端集積回路研究グループ
発表・掲載日 2020年12月8日
タイトル
2nm世代向けの新構造トランジスタの開発 
−積層型のSi/Ge異種チャネル相補型電界効果トランジスタによる大幅な集積化向上−
成果元 先端CMOS技術研究グループ
発表・掲載日 2019年7月3日
タイトル 窒化ガリウムマイクロLEDの発光効率を低電流密度で5倍に高効率化 
−高効率・高解像度のマイクロLEDディスプレーの実現に一歩前進−

      今回作製したGaNマイクロLEDの模式図

成果元 新材料デバイス集積グループ
発表・掲載日 2019年5月10日
タイトル 少量生産システム(ミニマルファブ)で集積回路の試作に成功 
−JAXAと産総研がミニマルファブで製造した集積回路の宇宙機搭載へ道を拓く−
成果元 ミニマルシステムグループ
発表・掲載日 2019年1月24日
タイトル シリコン量子ビットの高温動作に成功
−大型冷却装置が不要に、センサーなど幅広い量子ビット応用へ−
成果元 ナノCMOS集積グループ
発表・掲載日 2018年5月30日
タイトル 機械学習での訓練処理の時間を最大1/5に短縮する計算方式と回路
−サービス最適化を高速化して、事業者のビジネスチャンス拡大に貢献−
成果元 ナノCMOS集積グループ
発表・掲載日 2018年2月1日
タイトル 光子・粒子・電磁波用超伝導検出器の画素数を飛躍的に増大する読出回路
−新回路で、小型・低消費電力・廉価な汎用型高性能計測器の実現へ−
成果元 超伝導計測信号処理グループ
発表・掲載日 2017年6月5日
タイトル ゲルマニウム単結晶の超薄膜化により電子移動度が飛躍的に向上
−集積回路の高速化と低消費電力化に貢献−
成果元 3D集積システムグループ
発表・掲載日 2017年1月13日
タイトル 抵抗変化メモリーの挙動を電流ノイズから解明
−不揮発性メモリーの用途拡大へ向けて−
成果元 エマージングデバイスグループ
発表・掲載日 2016年12月5日
タイトル 「新原理のトランジスタを用いた集積回路の動作を実証」
−超低消費電力集積回路の実用化に向けて前進−
成果元 ナノCMOS集積グループ
発表・掲載日 2016年10月12日
タイトル 従来の限界を超える高温環境で動作する不揮発性メモリー
−人類が初めて手にする600 ℃超での書き換え・記録技術−
成果元 エマージングデバイスグループ
発表・掲載日 2016年2月13日
タイトル 「原子の瞬間移動のサブ・ナノメートルの分解能での実時間観測に成功」
−X線自由電子レーザー「SACLA」の有効性を実証−
成果元 システマティックマテリアルズデザイングループ
発表・掲載日 2016年1月26日
タイトル 「偽造できないセキュリティータグを有機エレクトロニクスで実現」
−有機デバイスの個性で秘密を守る−
成果元 エレクトロインフォマティクスグループ