新材料デバイス集積グループ/ Advanced Materials and Devices Integration Group

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新材料デバイス集積グループ
当グループでは、Ge/III-Vを用いたMOSFETやそれらの3D集積化、スピンFET等の新材料・新動作原理デバイス開発、およびTCADシミュレーション技術開発により、シリコンCMOSの限界を超える低消費電力・高機能デバイス集積化技術を開発しております。

Advanced Materials and Devices Integration Group explores device integration technologies for going beyond the performance limit of Si CMOS. The research topics include Ge/III-V MOSFETs, 3D build-up integration, 2D channel materials, and devices incorporating new materials and mechanisms such as spin FET and negative capacitance FET.

ニュース

                   
2019年
7月3日
プレスリリースGaN_microLEDプレス発表を行いました。
「窒化ガリウムマイクロLEDの発光効率を低電流密度で5倍に高効率化 −高効率・高解像度のマイクロLEDディスプレーの実現に一歩前進−」
2016年
8月25日
受賞IEEENano2016 2016年8月22日-25日に開催されたIEEE Nano 2016(開催地・仙台)において、産総研クロスアポイントの成果である中性粒子ビームの超低損傷ゲルマニウム加工の論文がBest paper Awardを受賞しました。
  受賞者 : En-Tzu Lee, Shuichi Noda, Wataru Mizubayashi, Kazuhiko Endo, Seiji Samukawa
  論文タイトル : Defect-Free Germanium Etching for 3D Fin MOSFET Using Neutral Beam Etching
2016年
8月1日
受賞 applyphy_awardグループメンバーの太田上級主任研究員が、2016年度応用物理学会論文賞を受賞しました。本論文は、連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセン ター(GNC、2009-2013年度)の研究成果です。
  受賞者 : 鎌田善己,小池正浩,黒澤昌志,太田裕之,中塚理,財満鎭明,手塚勉
  論文タイトル : Operation of inverter and ring oscillator of ultrathin-body poly-Ge CMOS

連絡先

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ナノエレクトロニクス研究部門
新材料デバイス集積グループ

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