ナノCMOS集積グループ / Nano CMOS Integration Group

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ナノCMOS集積グループ
IT社会はますます拡大の一途をたどっていますが、それをハードウェアの面で支えるのは、今後もシリコン集積回路であることは間違いありません。安全・安心なIT社会の持続的な発展には、シリコン集積回路の更なる高性能化と低電力化が不可欠です。私たちは、ユビキタス情報ネットワークの中核となる高性能かつ低消費電力なシリコンナノデバイスを実現するための基盤技術を開発し、我が国のIT社会と半導体関連産業に寄与することを目指しています。

ニュース

2019年1月25日 プレスリリース プレス発表を行いました。「シリコン量子ビットの高温動作に成功」
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2018年12月5日 学会発表 IEDM2018において下記の発表を行いました。
”Assessment of Steep-Subthreshold Swing Behaviors in Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistors Caused by Positive Feedback of Polarization Reversal”
2018年10月9日 受賞 232nd ECS Meeting (Symposium "Semiconductors, Dielectric, Metals for Nanoelectronics 16",2017年10月)における右田上級主任研究員の発表論文が、Best Paper Awardを受賞しました。
論文名"Relationship between Ferroelectricity and Electrical Breakdown in Hf-Zr-O THin Films." 2018/10/1 AiMES2018(ECS and SMEQ Joint Int'l Meeting)にて受賞。
2018年5月29日 プレスリリース プレス発表を行いました。「機械学習での訓練処理の時間を最大1/5に短縮する計算方式と回路」
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2018年5月15日 論文発表 トンネルFETに関するレビュー論文が応用物理に掲載されています。

連絡先

国立研究開発法人 産業技術総合研究所
ナノエレクトロニクス研究部門
ナノCMOS集積グループ

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