エマージングデバイスグループ / EMD Group

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脳型推論集積システム
  
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エマージングデバイスグループ
結晶構造や不純物・欠陥を3次元的に制御しつつ物質をナノ構造化する、あるいは異種材料の界面を原子レベルで精密に接合することによって、合目的的に設計されたデバイス機能の発現と制御を可能とし、エマージングと呼ぶに相応しいナノデバイスの開発成功例を積み上げていくことをグループの活動指針としています。その過程において、「新しい研究分野あるいは研究概念を創造し、将来のナノエレクトロニクス技術の発展方向を明確な科学的根拠を以て社会に提示すること」、「研究及び開発の成果を社会に実装する駆動力となること」を目指しています。また、研究開発成果の社会実装を推進するため、国際標準化事業や先端機器共用施設事業等も積極的に推進しています。

Emerging Device Group aims to create new nanoelectronics device concept, and moreover, new research field. We present the direction of development of future nanoelectronics technologies to society with a clear scientific basis. By controlling the crystal structure, impurities, and defects in three dimensions while making the material nanostructured, and precisely controlling the interface at the atomic level, we prove the emerging device functions that make use of unique properties of the nanostructured materials that are designed adequately to intended applications. “Interdisciplinary collaboration” and “Cooperation with faithfulness” are our motto. Being a driving force to implement the results of research and development in society is our mission. To lead the social implementation, we are also promoting the international standardization and the activities of open-user advanced facilities.

ニュース

2018年
6月18日
プレス
リリース
世界最高水準の低消費電力化を実現するAI半導体向け「脳型情報処理回路」を開発―クラウドではなくユーザー側のAI処理で、プライバシーや安全、快適さを実現へ/AI新価値の共創を目指しオープンイノベーション環境を整備―  (NEDOからのプレスリリース)
2018年
4月16日
受賞 前澤正明主任研究員が、 未踏科学技術協会第22回超伝導科学技術賞を受賞しました。
タイトル:超伝導回路によるボルツマン定数の絶対測定と国際単位系改定への貢献
2018年
3月22日
受賞 前澤正明主任研究員が、 平成29年度エレクトロニクスソサイエティ活動功労表彰を受けました。
タイトル:アドホック幹事として100年コンテンツワーキンググループの活動に貢献
2017年
1月13日
プレス
リリース
抵抗変化メモリーの挙動を電流ノイズから解明
−不揮発性メモリーの用途拡大へ向けて−
2016年
10月12日
プレス
リリース
「従来の限界を超える高温環境で動作する不揮発性メモリー」
−人類が初めて手にする600 ℃超での書き換え・記録技術−


連絡先

国立研究開発法人 産業技術総合研究所
ナノエレクトロニクス研究部門
エマージングデバイスグループ

〒305-8565  茨城県つくば市東1-1-1  つくば中央第5事業所

電話:029-861-0368(秘書) FAX:029-861-2576