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2021年9月7日
先進プラズマプロセスグループの福井貴大リサーチアシスタントが、 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会主催の 第15回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホールにて 「優秀ポスター賞」を授与されました。
2021年9月7日
超伝導体においてスピン配列の制御を実現
-高速・低消費電力な超伝導メモリーなどへの応用に期待-
2021年4月1日
電子光基礎技術研究部門長に澤彰仁が就任いたしました。前部門長の阿澄玲子は窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリに異動しました。
2021年3月17日
先進プラズマプロセスグループの布村正太上級主任研究員が、 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会より論文賞を授与されました。 対象となりました論文は、“Real-time monitoring of surface passivation of crystalline silicon during growth of amorphous and epitaxial silicon layer” Journal of Applied Physics, vol. 128, p. 033302 (2020)です。
2021年3月10日
先進プラズマプロセスグループの金載浩主任研究員と榊田創研究グループ長が、応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会よりプラズマエレクトロニクス賞を授与されました。 対象となりました論文は “Low-temperature graphene growth by forced convection of plasma-excited radicals”, Nano. Lett. 19 (2019) 739-746です。

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超伝導体においてスピン配列の制御を実現
-高速・低消費電力な超伝導メモリーなどへの応用に期待-
超伝導エレクトロニクスグループの石田主任研究員、荻野主任研究員、伊豫上級主任研究員、永崎首席研究員と、一般財団法人 総合科学研究機構(CROSS)、ウィーン工科大学、株式会社 イムラ・ジャパン(以下、「イムラ・ジャパン」)は、 鉄系磁性高温超伝導体EuRbFe4As4の超伝導とユーロピウム(Eu)の磁性が共存する状態で、磁束量子の向きによってスピンの向きが決まる現象を発見し、これを利用したスピン配列の制御に成功しました。今回発見した現象は、超伝導体内で磁束量子の情報をスピンの情報に反映できることを示唆し、メモリー機能などに応用できる可能性があります。 超伝導デバイスのメモリー機能は、近年注目される超伝導量子コンピューターの開発課題の一つであり、高速・低消費電力のオール超伝導回路の実現に向けた要素技術につながると期待されます。
詳細についてはこちらを参照ください。


今回実証した磁束量子によるスピン配列制御の概要

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