産業技術総合研究所 電子光基礎技術研究部門には、電子と光に関する理論・材料から、素子・システムに至るまで、幅広い分野の研究者が集結しています。産総研内外の幅広い連携ネットワークを基に、基盤技術の強化から産業技術の発展までを明確に位置づけながら、光プロセス技術と新原理エレクトロニクスという2つの研究領域の研究開発を進めています。
Latest News
-
2024.4.1お知らせ電子光基礎技術研究部門部門長に佐藤正健が就任しました。
-
2024.1.29受賞先進レーザープロセスグループのDaniela Serien研究員が、 2024 SPIE 3D Printing Best Paper Awardを受賞しました。
受賞論文タイトルは"Femtosecond Laser 3D Printing in Three Colors of Fluorescent Protein"です。
先進レーザープロセスグループ
-
2023.10.5イベント第10回電子光技術シンポジウム～電子・光によるプロセッシングとインフォマティクス～を開催しました。ご参加をどうもありがとうございました。
日時：2023年12月18日(月) 10:00－17:30
会場：秋葉原UDXカンファレンス
プログラム詳細
-
2022.11.16受賞光半導体デバイスグループの永瀬成範主任研究員が、 第20回（2022年秋季）応用物理学会Poster Awardを受賞しました。
受賞講演題目は「Si(111)基板上に作製したGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの不揮発メモリ特性の評価」です。
Poster Award 受賞ポスター講演一覧表はこちらです。
光半導体デバイスグループ
-
2022.9.15受賞分子集積デバイスグループの大園拓哉主任研究員が、 2022年度日本液晶学会論文賞（A部門)を受賞しました。
受賞対象論文は、”Internal constraints and arrested relaxation in main-chain nematic elastomers” Nature Communications, Vol.12,787(2021)です。
分子集積デバイスグループ
-
2022.4.27プレス発表
Topics
窒化物半導体薄膜結晶を作製するための新手法を開発
－窒素プラズマを供給して世界最高品質を実現－
窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ 王 学論 ラボチーム長、熊谷 直人 チーム付、山田 永 ラボチーム長、電子光基礎技術研究部門 榊田 創 研究部門付、清水 鉄司
研究グループ長らは、窒化物半導体、特に窒化インジウム（InN）やIn含有率の大きい窒化インジウムガリウム（InGaN）に対する薄膜結晶の新しい気相成長技術を開発しました。
従来の有機金属気相成長装置の原料ガス導入ユニットに独自の準大気圧プラズマ源を統合し、高密度の窒素系活性種を試料表面に供給することにより、InN薄膜結晶の高品質化に成功しました。
次世代太陽光発電やVR/ARディスプレーなどに必要な赤色から近赤外域の高効率光デバイス、次世代高周波デバイスの実現が期待できます。
なお、本研究の詳細は、2022年4月23日にELSEVIER社刊行のApplied Materials Todayで発表されました。
詳細についてはこちらも参照ください。
なお、本研究の詳細は、2022年4月23日にELSEVIER社刊行のApplied Materials Todayで発表されました。
詳細についてはこちらも参照ください。