構成メンバー
ユニット
| 顔写真 | 所属・役職および名前 | 専門分野 | その他、etc |
|---|---|---|---|
（つくばセンター） |
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研究センター長
田中 保宣 （Yasunori TANAKA) |
SiCパワーデバイス、イオン注入技術 | |
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副研究センター長（西事業所）
原田 信介（Shinsuke HARADA） |
パワーデバイス | |
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副研究センター長（中央事業所２群・関西センター）
竹内 大輔 （Daisuke TAKEUCHI） |
電子工学、ダイヤモンド半導体、電子放出 | |
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連携主務（中央事業所２群)
沈 旭強（Xu-Qiang SHEN） |
窒化物デバイス | |
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総括研究主幹（西事業所）
米澤 喜幸（Yoshiyuki YONEZAWA） |
高耐圧システム応用 | |
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総括研究主幹（西事業所）
小杉 亮治（Ryoji KOSUGI ） |
高耐圧デバイス応用 | |
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総括研究主幹（西事業所）
高尾 和人（ Kazuto TAKAO ） |
パワーモジュール・回路 | |
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テクニカルスタッフ
廣田 清美（Kiyomi HIROTA） |
研究事務（ユニット室）/センター長・副センター長秘書業務 | |
（関西センター）
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関西センター [審議役]
杢野 由明 （Yoshiaki MOKUNO） |
ダイヤモンドウェハ開発 | （名誉リサーチャー） |
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名誉リサーチャー
奥村 元（Hajime OKUMURA） |
半導体物性 | |
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名誉リサーチャー
荒井 和雄（Kazuo ARAI） |
半導体工学材料 | |
| 顔写真 | 所属・役職および名前 | 専門分野 | その他、etc |
新機能材料チーム(つくばセンター中央事業所２群） | |||
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チーム長
児島 一聡（Kazutoshi KOJIMA） |
SiC薄膜成長 | |
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主任研究員
小倉 政彦（Masahiko OGURA） |
ダイヤモンド薄膜成長およびイオン注入 | |
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主任研究員
佐沢 洋幸（Hiroyuki SAZAWA） |
SiC HEMT | |
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主任研究員
紀 世陽（Ji Shiyang） |
知能デバイス材料学 シリサイド、GaN、SiC等の化合物半導体結晶成長技術 | |
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兼務
升本 恵子（Keiko MASUMOTO） |
SiC薄膜成長 | |
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招聘研究員
山口 博隆（Hirotaka YAMAGUCHI） |
結晶分析 | |
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テクニカルスタッフ
後藤 日出人（Hidehito GOTO） |
量産技術チーム：FIB担当 | |
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テクニカルスタッフ
篠崎 芽美（Megumi SHINOZAKI） |
量産技術チーム：試作プロセス支援 | |
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テクニカルスタッフ
松川 康子（Yasuko MATSUKAWA） |
量産技術チーム：試作プロセス支援 | |
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テクニカルスタッフ
柳町 光江（Mitsue YANAGIMACHI） |
研究事務 | |
| 顔写真 | 所属・役職および名前 | 専門分野 | その他、etc |
新機能デバイスチーム（つくばセンター中央事業所２群） | |||
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チーム長
牧野 俊晴（Toshiharu MAKINO） |
ダイヤモンドプロセス開発およびデバイス応用 | |
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上級主任研究員
加藤 宙光（Hiromitsu KATO） |
n型ダイヤモンド薄膜成長およびデバイス応用 | |
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上級主任研究員
梅沢 仁（Hitoshi UMEZAWA） |
耐環境素子、パワーデバイス、高周波高出力デバイス | |
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主任研究員
加藤 有香子（Yukako KATO） |
結晶欠陥分析 | |
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主任研究員
小関 国夫（Kunio KOSEKI） |
パワーデバイス応用技術開発 | |
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兼務
吉岡 裕典（Hironori YOSHIOKA） |
【出向中兼務】SiC MOS界面 | |
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研究員
長井 雅嗣（Masatsugu NAGAI） |
ダイヤモンド応用 | |
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研究員
春山 盛善（Moriyoshi HARUYAMA） |
ダイヤモンド量子デバイス | |
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招聘研究員
宮本 良之（Yoshiyuki MIYAMOTO） |
ダイヤモンドプロセス | |
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テクニカルスタッフ
梅野 陽太（Yohta UMENO） |
ダイヤモンドプロセス | |
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テクニカルスタッフ
佐久間 裕美（Hiromi SAKUMA） |
ダイヤモンドプロセス | |
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テクニカルスタッフ
中島 沙弥香（Sayaka NAKAJIMA） |
ダイヤモンドプロセス | |
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リサーチアシスタント
池谷 光貴（Mitsuki IKEYA） |
ダイヤモンド微細加工プロセス | |
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テクニカルスタッフ
樋口 ももみ（Momomi HIGUCHI） |
研究事務 | |
| 顔写真 | 所属・役職および名前 | 専門分野 | その他、etc |
ダイヤモンドウェハチーム（関西センター） | |||
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チーム長
山田 英明（Hideaki YAMADA） |
大型ダイヤモンドウェハ作製、プラズマ、シミュレーション | |
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キャリアエキスパート
田中 孝治（Koji TANAKA） |
電子顕微鏡を主とした微視的材料評価・解析 | |
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主任研究員
坪内 信輝（Nobuteru TSUBOUCHI） |
イオン注入、欠陥・結晶性評価 | |
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研究員
嶋岡 毅紘（Takehiro SHIMAOKA） |
大型ダイヤモンドウェハ作製、原子力電池 、放射線検出器 | |
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研究員
新田 魁洲（KAISHU NITTA） |
ダイヤモンド関係 | |
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招聘研究員
茶谷原 昭義（Akiyoshi CHAYAHARA） |
大型ダイヤモンドウェハ作製、プラズマCVD、イオン注入 | |
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協力研究員
川﨑 昂輝（Kouki KAWASAKI） |
ダイヤモンド関係 | |
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テクニカルスタッフ
朝原 友紀（Yuuki ASAHARA） |
ダイヤモンドプロセス | |
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テクニカルスタッフ
鈴木 智雄（Tomoo SUZUKI） |
ダイヤモンドプロセス | |
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テクニカルスタッフ
尺田 幸男（Yukio SHAKUDA） |
ダイヤモンドプロセス | |
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アシスタント
右働 理江（Rie UDOU） |
研究事務 | |
| 顔写真 | 所属・役職および名前 | 専門分野 | その他、etc |
ウェハプロセス研究チーム（つくばセンター西事業所） | |||
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チーム長
加藤 智久（Tomohisa KATOU） |
バルク単結晶成長、ウェハ加工技術、X線結晶学、鉱物学 | |
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上級主任研究員
三谷 武志 （Takeshi MITANI） |
バルク単結晶成長、材料評価技術 | |
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兼務
江藤 数馬 （Kazuma ETO） |
【出向中兼務】バルク単結晶成長、材料評価技術 | |
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主任研究員
窪谷 茂幸（Shigeyuki KUBOYA） |
バルク単結晶成長、材料評価技術 | |
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主任研究員
平野 真也（Shinya HIRANO） |
ウエハ加工技術、材料評価技術 | |
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特定集中研究専門員（研究）
貴堂 高徳（Takanori KIDOU） |
ウェハ加工技術 | |
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テクニカルスタッフ
小澤 哲也 （Tetsuya OZAWA） |
ウェハ加工技術 | |
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テクニカルスタッフ
谷口 寛芳（Hiroyoshi TANIGUCHI） |
ウェハ加工技術 | |
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テクニカルスタッフ
瀬尾 京子（Kyouko SEO） |
ウェハ加工技術 | |
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テクニカルスタッフ
竹之内 真弓（Mayumi TAKENOUCHI） |
ウェハ加工技術 | |
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テクニカルスタッフ
富田 博之（Hiroyuki TOMITA） |
ウェハ加工技術 | |
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テクニカルスタッフ
齊藤 新吾（Shingo SAITOU） |
ウェハ加工技術 | |
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テクニカルスタッフ
飯塚 さとみ（Satomi IITSUKA） |
ウェハ加工技術 | |
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テクニカルスタッフ
大山 智子（Tomoko OOYAMA） |
研究事務 | |
| 顔写真 | 所属・役職および名前 | 専門分野 | その他、etc |
パワーデバイスチーム（つくばセンター西事業所） | |||
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チーム長
岡本 光央（Mitsuo OKAMOTO） |
SiCパワーIC | |
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主任研究員
中島 昭（Akira NAKAJIMA） |
横型GaN・Hybridパワーデバイス | |
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主任研究員
染谷 満（Mitsuru SOMETANI） |
SiCパワーデバイス、MOS界面 | |
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主任研究員
三浦 喜直（Yoshinao MIURA） |
縦型GaN系パワーデバイス | |
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研究員
平井 悠久（Hirohisa HIRAI） |
縦型Hybridパワーデバイス、MOS界面 | |
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特定集中研究専門員（研究）
竹中 研介（ Kensuke TAKENAKA） |
SiCパワーデバイス | |
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特定集中研究専門員（研究）
松永 慎一郎（Shinichirou MATSUNAGA） |
SiCパワーデバイス | |
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特定集中研究専門員（研究）
木本 真一（Shin'ichi KIMOTO） |
SiCパワーデバイス | |
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特定集中研究専門員（研究）
平松 佳奈（Kana HIRAMATSU） |
SiCパワーデバイス | |
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特定集中研究専門員（研究）
小林 慶亮（Keisuke KOBAYASHI） |
SiCパワーデバイス | |
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特定集中研究専門員（研究）
末松 知夏（Tomoka SUEMATSU） |
SiCパワーデバイス | |
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特定集中研究専門員（研究）
石川 誠治（Seiji ISHIKAWA） |
SiCパワーデバイス | |
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特定集中研究専門員（研究）
島 明生（Akio Shima） |
SiCパワーデバイス | |
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特定集中研究専門員（研究）
小西 くみこ（Kumiko Konishi） |
SiCパワーデバイス | |
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特定集中研究専門員（研究）
東 雄大（Yuta Higashi） |
SiCパワーデバイス | |
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特定集中研究専門員（事務・技術）
石田 智章（Tomoaki ISHIDA） |
SiCパワーデバイス | |
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特定集中研究専門員（研究）
和田 竜垂（Ryuusui Wada ） |
GaNパワーデバイス | |
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テクニカルスタッフ
金 英樹（Yongsoo KIM） |
試作プロセス支援 | |
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テクニカルスタッフ
中島 早百合（Sayuri NAKAJIMA） |
研究事務 | |
| 顔写真 | 所属・役職および名前 | 専門分野 | その他、etc |
パワー回路集積チーム（つくばセンター西事業所） | |||
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チーム長
佐藤 弘（Hiroshi SATO） |
パワーモジュール組立技術 | |
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主任研究員
佐藤 伸二（Shinji SATO） |
回路トポロジー、PWM制御、EMI対策、電力変換器、ゲート駆動回路 | |
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主任研究員
加藤 史樹（Fumiki KATO） |
パワーモジュール設計・組立・評価、熱マネージメント、実装材料評価 | |
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主任研究員
安藤 拓司（Takashi ANDO） |
パワーモジュール設計・組立・評価、熱シミュレーション、実装材料評価 | |
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主任研究員
八尾 惇（Atsushi YAO） |
パワーICモジュール設計・組立・評価、磁性材料活用技術 | |
|
研究員
山口 大輝（Daiki YAMAGUCHI） |
電力変換器、回路トポロジー、線形システム制御、系統連系インバータ、ゲート駆動回路 | |
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特定集中研究専門員（研究）
道越 久人 （Hisato MICHIKOSHI） |
パワーモジュール設計・組立、評価 | |
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テクニカルスタッフ
渡辺 衣世（Kinuyo WATANABE） |
パワーモジュール／組立・評価 | |
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テクニカルスタッフ
酒井 亜紀（Aki SAKAI） |
パワーモジュール／組立・評価 | |
|
テクニカルスタッフ
板東 徹（Toru BANDO） |
量産技術チーム：パワーモジュール、TOパッケージ／組立・評価 | |
|
テクニカルスタッフ
袖山 裕一（Yuichi SODEYAMA） |
量産技術チーム：パワーモジュール、TOパッケージ／組立・評価 | |
|
テクニカルスタッフ
荒瀬 正（Tadashi ARASE） |
量産技術チーム：パワーモジュール、TOパッケージ／組立・評価 | |
|
テクニカルスタッフ
大内 友子（Tomoko OUCHI） |
研究事務 | |
| 顔写真 | 所属・役職および名前 | 専門分野 | その他、etc |
パワーデバイス応用設計チーム（つくばセンター西事業所） | |||
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チーム長
黒岩 丈晴（Takeharu KUROIWA） |
半導体プロセス／デバイス | |
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上級主任研究員
先崎 純寿（Junji SENZAKI） |
半導体デバイスおよび国際標準化(ウエハ評価WG) | |
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主任研究員
中山 浩二（Koji NAKAYAMA） |
半導体デバイス／応用機器 | |
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特定集中研究専門員（研究）
畑山 智亮（Tomoaki HATAYAMA） |
SiCデバイス・プロセス | |
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特定集中研究専門員（研究）
若林 琢巳（Takumi WAKABAYASHI） |
SiC評価(ウエハ評価WG) | |
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招聘研究員
坂本 邦博（Kunihiro SAKAMOTO） |
半導体およびエレクトロニクス全般 | |
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招聘研究員
長谷川 正樹（Masaki HASEGAWA） |
SiC評価(ウエハ評価WG) | |
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招聘研究員
遠藤 幸一（Kouichi ENDOU）(ウエハ評価WG) |
SiC評価(ウエハ評価WG) | |
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テクニカルスタッフ
小山内 努（Tsutomu OSANAI） |
量産技術チーム：評価技術支援(ウエハ評価WG) | |
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テクニカルスタッフ
下里 淳（Atsushi SHIMOSATO） |
量産技術チーム：評価技術支援(ウエハ評価WG) | |
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テクニカルスタッフ
西野 潤一（Junichi NISHINO） |
量産技術チーム：評価技術支援(ウエハ評価WG) | |
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テクニカルスタッフ
矢口 明日香（Asuka YAGUCHI） |
量産技術チーム：評価技術支援(ウエハ評価WG) | |
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テクニカルスタッフ
松本 礼子（Reiko MATSUMOTO） |
研究事務 | |
|
テクニカルスタッフ
河田 敬子（Keiko KAWATA） |
研究事務(ウエハ評価WG) | |
| 顔写真 | 所属・役職および名前 | 専門分野 | その他、etc |
量産技術チーム（つくばセンター西事業所） | |||
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チーム長
寺野 昭久（Akihisa TERANO） |
III-V族化合物半導体、窒化物半導体 電子・光デバイス、プロセス技術 | |
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テクニカルスタッフ
内田 功（Isao UCHIDA） |
試作プロセス支援 | |
|
テクニカルスタッフ
有馬 靖智（Yasunori ARIMA） |
西5D4インチライン管理 | |
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テクニカルスタッフ（西）
石森 均（Hitoshi ISHIMORI） |
デバイス試作支援（プロセスインテグレーション） | |
|
テクニカルスタッフ（西）
江口 剛治（Koji EGUCHI） |
クリーンルーム運営管理支援（安全衛生） | |
|
テクニカルスタッフ（西）
岡 明生（Akio OKA） |
試作プロセス支援（ホトリソグラフィ） | |
|
テクニカルスタッフ（西）
緒方 一弘（Kazuhiro OGATA） |
クリーンルーム運営管理支援（装置、設備保守） | |
|
テクニカルスタッフ（西）
国府田 幸喜（Kouki KOKUFUTA） |
試作プロセス支援（ウェハ評価） | |
|
テクニカルスタッフ（西）
小林 泉（Izumi KOBAYASHI） |
デバイス試作支援（プロセスインテグレーション） | |
|
テクニカルスタッフ（西）
小林 秀寿（Hidetoshi KOBAYASHI） |
デバイス評価支援 | |
|
テクニカルスタッフ（西）
小松﨑 康（Yasushi KOMATSUZAKI） |
試作プロセス支援（ウェハ研磨、チップ化） | |
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テクニカルスタッフ（西）
坂寄 雅則（Masanori SAKAYORI） |
試作ロット流動管理 | |
|
テクニカルスタッフ（西）
須藤 雅司（Masaji SUDOU） |
試作プロセス支援（ウェハ評価、メタル） | |
|
テクニカルスタッフ（西）
長田 晃代（Akiyo NAGATA） |
エピ装置支援、GaNデバイス試作ロット流動支援 | |
|
テクニカルスタッフ（西）
檜山 悟（Satoru HIYAMA） |
クリーンルーム運営管理支援（装置、設備保守） | |
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テクニカルスタッフ（西）
平野 浩二（Kouji HIRANO） |
試作プロセス支援（イオン注入、活性化） | |
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テクニカルスタッフ（西）
藤井 一史（Kazufumi FUJII） |
試作プロセス支援（結晶成長） | |
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テクニカルスタッフ（西）
穂積 康雄（Yasuo HOZUMI） |
試作プロセス支援（酸化・CVD） | |
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テクニカルスタッフ（西）
松永 達也（Tatsuya MATSUNAGA） |
試作プロセス支援（ホトリソグラフィ・メタル） | |
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テクニカルスタッフ（西）
松本 一志（Kazushi MATSUMOTO） |
試作プロセス支援（エッチング） | |
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テクニカルスタッフ（西）
松本 京子（Kyoko MATSUMOTO） |
試作ロット流動管理 | |
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招聘研究員（西）
森本 忠雄（Tadao MORIMOTO） |
試作ライン統括班長、パワーデバイスのプロセスインテグレーション及び試作管理 | |
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テクニカルスタッフ（西）
宇田 昌史（Masashi UDA） |
試作ライン副班長 | |
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技術専門職（西）
大内 聡（Satoshi OOUCHI） |
試作ライン班長 | |
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技術専門職（西）
小野 和利（Kazutoshi ONO） |
試作ライン班長 | |
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技術専門職（西）
菊地 徹（Toru KIKUCHI） |
試作ライン班長、統括班長補佐 | |
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テクニカルスタッフ（西）
今野 健志（Takeshi KONNO） |
試作ライン副班長 | |
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テクニカルスタッフ（西）
松下 隼人（Hayato MATSUSHITA） |
試作ラインオペレータ | |
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テクニカルスタッフ（西）
村岡 倫和（Norikazu MURAOKA） |
試作ラインオペレータ | |
|
テクニカルスタッフ（西）
高須 伸次（Shinji TAKASU） |
試作プロセス支援 | |
|
テクニカルスタッフ（西）
二瓶 正浩（Masahiro NIHEI） |
試作プロセス支援 | |
|
テクニカルスタッフ（西）
松本 則男（Norio MATSUMOTO） |
試作プロセス支援 | |
|
テクニカルスタッフ（西）
上田 綾子（Ayako UEDA） |
研究事務 | |