パワーデバイス応用設計チーム

公的プロジェクトの成果を受け継いだ高耐圧SiCデバイス・パッケージ技術を活用し、新たな応用分野開拓を推進します。 また、ワイドバンドギャップ半導体デバイスの信頼性に直結する結晶欠陥の検査プラットフォーム構築・国際標準原案作成に取り組んでいます。

保有技術

• 10kV超耐圧SiC-MOSFET／SBDデバイス技術
• ワイドバンドギャップ半導体結晶欠陥評価／解析技術

重点研究

• 高耐圧SiC-MOSFET／SBDデバイスの試作供給による電力変換器応用
• 化合物半導体ウエハの欠陥検査法とデバイス信頼性に関する標準化

主要特許・論文

• “13 kV SiC-DMOSFETs and body diodes for HVDC MMC converters”, Koji Nakayama, Takeharu Kuroiwa and Hiroshi Yamaguchi, Japanese Journal of Applied Physics 61, 014001 (2022).
• “Influence of SiC epitaxial wafer quality on yield of 1.2kV SiC-DMOSFETs”, Junji Senzaki, Ryoji Kosugi, Keiko Masumoto, Takeshi Mitani, Takeharu Kuroiwa and Hiroshi Yamaguchi, Proceedings of IEEE International reliability physics symposium 2022, in press.
• “Recent Progress of Silicon Carbide Super-Junction MOSFETs”, Ryoji Kosugi, Shiyang Ji, Kazuhiro Mochizuki, Takeharu Kuroiwa and Hiroshi Yamaguchi, Extended abstract of International Conference on Solid State Devices and Materials 2020 D-6-01.