量産技術チーム
オープン・イノベーション・プラットフォームであるTPEC（Tsukuba Power Electronics Constellations）等の共同研究を主体に、当センターで管理運営する西5D棟 4インチウェハ対応パワーデバイス試作ラインを活用して、共同研究企業やデバイス研究チームとともにSiC、GaNなどのワイドギャップ半導体を用いたパワーデバイスの実証試作と、デバイス量産化技術・要素プロセス技術の開発を行っています。試作したデバイスチップは、各種応用先への試供も行っています。
保有技術・設備
設備
- つくば西事業所 5D棟 4インチSiC／GaNウェハ両対応パワーデバイス試作ライン
技術
- SiC膜エピタキシャル成長技術：低濃度制御・薄膜～厚膜成長技術、多段再成長技術
- 高温イオン注入技術（SiCウェハ対応）：Al, N, P注入、350keV max
- ホトリソグラフィ技術：i線ステッパ(0.5μm)、g線ステッパ
- ドライエッチング技術：SiO2-RIE, SiC-ICP, Poly-RIE, GaN-ICP, TiN/Ti/Al-RIE, O2アッシング
- 絶縁膜形成技術：熱CVD (NSG/PSG),PE-CVD (SiO2), 熱酸化 (Dry-O2, NO)
- ゲート形成技術：LP-CVD P-doped Poly-Si, HTO
- ウェットエッチング技術：Al, Ni, Ti, SiO2
- 洗浄技術：SPM, RCA, DHF, レジスト剥離
- メタル技術：スパッタ (Al, Al-Si, Ni, Ti, TiN), 蒸着 (Ti, Ni, Au), W-CVD（検討中）
- 熱処理技術：活性化アニール, 電極アニール（シンター）
5D棟試作ラインでの試作デバイス事例
- SiC SBD(1.2kV)
- SiC PN Diode
- SiC IE-MOSFET
- SiC IE-UMOSFET (1.2kV)
- SiC SJ(Super Junction)構造
- SiC SWITCH-MOSFET
- SiC DMOSFET
- SiC CMOSFET
- GaN PN DIODE
- GaN UMOSFET
- GaN HEMT