研究チーム紹介
新機能材料チーム
研究チーム長：児島 一聡
新機能材料チームは、SiC、窒化物、ダイヤモンドといったワイドギャップ半導体材料のパワーデバイス応用を念頭に置いたエピタキシャル成長技術、 その技術をデバイス構造作製に応用したインプロセスエピ成長技術並びに材料評価に関する研究開発を行っています。
新機能デバイスチーム
研究チーム長：牧野 俊晴
SiC・ダイヤモンド等のワイドバンドギャップ半導体特有の性質を利用し、 新しい機能を持ったパワーデバイス・耐環境デバイス・量子センサーデバイス等の技術開発を行っています。
ウェハプロセスチーム
研究チーム長：加藤 智久
SiCや窒化物などワイドギャップ半導体バルク単結晶の成長技術、 高硬脆単結晶材料の切断研磨加工技術とそれらを活用したウェハ一貫加工プロセス技術、 結晶評価技術の研究開発を行っています。
パワーデバイスチーム
研究チーム長：岡本 光央
ワイドギャップ半導体パワーデバイスの本格的実用化へ向け、 企業共同研究を中心に高性能・高信頼パワーデバイス、 及び新規基盤技術の創出を目指した研究開発を行っています。
パワー回路集積チーム
研究チーム長：佐藤 弘
ワイドギャップ半導体の社会普及に向けて、ディスクリートパーケージ、パワーモジュール、高耐熱部品内蔵モジュール、 回路技術（主回路技術、ゲート回路技術）などの研究開発を行っています。
パワーデバイス応用設計チーム
研究チーム長：黒岩 丈晴
公的プロジェクトの成果を受け継いだSiCデバイス・モジュール技術を用いて新たな応用分野の開拓を推進します。 また、次世代パワー半導体材料・デバイス評価解析プラットフォーム構築を目的とした 新規評価解析技術開発や取得した評価解析情報のデータベース化を進めます。
量産技術チーム
研究チーム長：寺野 昭久
オープン・イノベーション・プラットフォームであるTPEC（Tsukuba Power Electronics Constellations）等の共同研究を主体に、当センターで管理運営する西5D棟 4インチウェハ対応パワーデバイス試作ラインを活用して、共同研究企業やデバイス研究チームとともにSiC、GaNなどのワイドギャップ半導体を用いたパワーデバイスの実証試作と、デバイス量産化技術・要素プロセス技術の開発を行っています。試作したデバイスチップは、各種応用先への試供も行っています。