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更新情報


2024/03/18
当センター・佐沢洋幸主任研究員の研究成果がApplied Physics Lettersに掲載、Featured articleに選出されました
2024/03/15
当研究センター八尾惇主任研究員、山口 大輝研究員が電気学会全国大会の優秀論文賞を受賞
2024/03/06
当センター・三谷武志上級主任研究員の研究成果がCrystal Growth & Designに掲載されました
2024/01/31
当センター・平井悠久研究員の研究成果がElectron Device Lettersに掲載されました
2023/12/25
世界初、垂直ブリッジマン法による6インチβ型酸化ガリウム単結晶の作製に成功-β型酸化ガリウム基板の大口径化・高品質化に貢献-
2023/11/20
当センター・染谷満主任研究員の研究成果がAPL Materialsに掲載
2023/11/14
当センター・中島昭主任研究員が日経エレクトロニクス主催パワーエレクトロニクスアワード2023で審査員特別賞を受賞
2023/10/19
当センター・中島昭主任研究員への取材記事が日経クロステックに掲載
2022/10/14
当研究センターの八尾惇研究員が令和4年度日本磁気学会出版賞を受賞
2022/10/13
ダイヤ半導体研究の活動を電子デバイス産業新聞が紹介
2022/10/03
HPをリニューアル公開
2022/07/20
2022/7/27開催!TPEC10周年記念特別講演会について
2022/06/27
当センターダイヤモンドウェハチームを由来とする産総研ベンチャーとして株式会社イーディーピーが東京証券取引所グロース市場に上場  
2021/12/16  
当研究センター・岡本光央主任研究員の研究グループがNEパワー・エレクトロニクス・アワード2021の最優秀賞を受賞
2021/12/12
GaNとSiCを一体化したハイブリッド型トランジスタを世界で初めて動作実証
-GaNトランジスタの過電圧脆弱性を解決-
2021/10/20
当研究センターの先崎純寿上級主任研究員が令和3年度産業標準化事業表彰の国際電気標準会議(IEC)1906賞を受賞

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