澤 彰仁 |
薄膜電子材料、酸化物エレクトロニクス
日本物理学会、応用物理学会
高温超伝導体や巨大磁気抵抗材料などの遷移金属酸化物の薄膜合成とヘテロ接合の界面現象について研究。 ペロブスカイト型遷移金属酸化物の電界誘起抵抗スイッチングについて、この現象が金属電極と遷移金属酸化物半導体の界面で発現していることを明らかにした。 強相関ショットキー、p-n接合が強相関酸化物の界面電子状態の評価プローブとして活用できることも実証し、強相関酸化物のバンドフィリングに対するフェルミレベル変化の一般性を明らかにした。
(他にProceedings、解説など約60報)