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電子光技術研究部門　強相関エレクトロニクスグループ

当研究グループでは、従来の半導体技術の延長線上では実現できない新奇デバイスの基本原理の確立とその動作実証を目指し、①磁気的、電気的、光学的な性質の劇的な変化をともなう電子相転移を示す新しい強相関酸化物の創製、②デバイス機能の発現舞台となる強相関酸化物界面における新機能の創製、③プロトタイプデバイスによる強相関デバイス機能の実証などの研究開発に取り組んでいます。さらにこれらの知見を活かし、ワイドギャップ半導体や強誘電体などの材料についても独自の視点から有用なデバイス機能の創出に挑んでいます。

新着情報

2024年4月1日
田中 嵩祐さんがRAとして当グループメンバーに加わりました。