本文へ

NRAM -グリーンイノベーション基金事業-

カーボンナノチューブ不揮発性メモリ(CNT-RAM)開発

革新的スラリーの開発

革新的不揮発性メモリの産業化を実現するため、低電力かつ高速に繰り返し電気抵抗を制御できるカーボンナノチューブ膜およびその原料となるCNT分散液(スラリー)の製造技術を開発しています。スラリーの組成や構造を精密に制御する技術や大面積かつ均一に製膜する技術を開発し、さらに他のチームとも協力することで膜構造とデバイス特性の関係を明らかとします。これにより、デバイスに適したCNT膜の製造プロセス開発を目指します。





連絡先

国立研究開発法人 産業技術総合研究所 ナノカーボンデバイス研究センター

〒305-8565 茨城県つくば市東1-1-1 中央第5
Eメール:cnt-comp-info-ml*aist.go.jp(*を@に変更して送信ください。)

▲ ページトップへ