NRAM -グリーンイノベーション基金事業-
カーボンナノチューブ不揮発性メモリ(CNT-RAM)開発
テストデバイス開発
専用のクリーンルームを新たに所内に設置し、メモリ駆動する、最適なCNT素子開発のため、実験用のテストデバイス開発を行います。テストデバイスを用い、産総研で開発を行う革新的スラリーでデバイスを作成し、その特性評価を短時間で行い、CNT-RAMの開発を加速します。さらに、物理評価の結果を踏まえた新規デバイス構造の構築と特性評価も行い、CNT-RAMの性能向上を目指していきます。
連絡先
国立研究開発法人 産業技術総合研究所 ナノカーボンデバイス研究センター
〒305-8565 茨城県つくば市東1-1-1 中央第5
Eメール:cnt-comp-info-ml*aist.go.jp(*を@に変更して送信ください。)