岡田光博
氏名 岡田 光博（おかだ みつひろ）
学位 名古屋大学 博士（理学）
職位 主任研究員（2023年10月〜）
専門 結晶成長、半導体物性
学位
2013年 名古屋大学 理学部 化学科 卒業
2015年 名古屋大学大学院 理学研究科 物質理学専攻（化学系） 博士前期課程 修了
2018年 名古屋大学大学院 理学研究科 物質理学専攻（化学系） 博士後期課程 修了
略歴
| 2016年4月 | 日本学術振興会 特別研究員 DC2 |
| 2018年4月 | 特別研究員（産総研ポストドクター） 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 新材料デバイス集積グループ |
| 2018年10月 | 研究員 産業技術総合研究所 ナノ材料研究部門 ナノ界面計測グループ |
| 2020年4月 | 研究員 産業技術総合研究所 ナノ材料研究部門 二次元ナノ材料グループ |
| 2022年4月 | 研究員 産業技術総合研究所 ナノカーボンデバイス研究センター 二次元ナノデバイス材料研究チーム |
| 2023年10月 | 主任研究員 産業技術総合研究所 ナノカーボンデバイス研究センター 二次元ナノデバイス材料研究チーム |
筆頭論文
9. Characterization of band alignment at a metal–MoS2 interface by Kelvin probe force microscopy
Mitsuhiro Okada, Yuki Okigawa, Takeshi Fujii, Takahiko Endo, Wen Hsin Chang, Naoya Okada, Toshifumi Irisawa, Yasumitsu Miyata, Tetsuo Shimizu, Toshitaka Kubo, and Takatoshi Yamada
Jpn. J. Appl. Phys., 63, 01SP15 (2024)
8. Large-Scale 1T′-Phase Tungsten Disulfide Atomic Layers Grown by Gas-Source Chemical Vapor Deposition
Mitsuhiro Okada, Jiang Pu, Yung-Chang Lin, Takahiko Endo, Naoya Okada, Wen-Hsin Chang, Anh Khoa Augustin Lu, Takeshi Nakanishi, Tetsuo Shimizu, Toshitaka Kubo, Yasumitsu Miyata, Kazu Suenaga, Taishi Takenobu, Takatoshi Yamada, and Toshifumi Irisawa
ACS Nano, 16, 13069 (2022)
7. Growth of MoS2–Nb-doped MoS2 lateral homojunctions: A monolayer p–n diode by substitutional doping
Mitsuhiro Okada, Naoka Nagamura, Tarojiro Matsumura, Yasunobu Ando, Anh Khoa Augustin Lu, Naoya Okada, Wen-Hsin Chang, Takeshi Nakanishi, Tetsuo Shimizu, Toshitaka Kubo, Toshifumi Irisawa, and Takatoshi Yamada
APL Mater., 9, 121115 (2021)
6. Micrometer-scale WS2 atomic layers grown by alkali metal free gas-source chemical vapor deposition with H2S and WF6 precursors
Mitsuhiro Okada, Naoya Okada, Wen-Hsin Chang, Tetsuo Shimizu, Toshitaka Kubo, Masatou Ishihara, and Toshifumi Irisawa
Jpn. J. Appl. Phys., 60, SBBH09 (2021)
5. Microscopic Mechanism of van der Waals Heteroepitaxy in the Formation of MoS2/hBN Vertical Heterostructures
Mitsuhiro Okada, Mina Maruyama, Susumu Okada, Jamie H. Warner, Yusuke Kureishi, Yosuke Uchiyama, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Tetsuo Shimizu, Toshitaka Kubo, Masatou Ishihara, Hisanori Shinohara, and Ryo Kitaura
ACS Omega, 5, 31962 (2020)
4. Gas-Source CVD Growth of Atomic Layered WS2 from WF6 and H2S Precursors with High Grain Size Uniformity
Mitsuhiro Okada, Naoya Okada, Wen-Hsin Chang, Tetsuo Shimizu, Toshitaka Kubo, and Toshifumi Irisawa
Sci. Rep., 9, 17678 (2019)
3. Direct and Indirect Interlayer Excitons in a van der Waals Heterostructure of hBN/WS2/MoS2/hBN
Mitsuhiro Okada, Alex Kutana, Yusuke Kureishi, Yu Kobayashi, Yuika Saito, Tetsuki Saito, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Sunny Gupta, Yasumitsu Miyata, Boris I. Yakobson, Hisanori Shinohara, and Ryo Kitaura
ACS Nano, 12, 2498 (2018)
2. Observation of biexcitonic emission at extremely low power density in tungsten disulfide atomic layers grown on hexagonal boron nitride
Mitsuhiro Okada, Yuhei Miyauchi, Kazunari Matsuda, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Hisanori Shinohara, and Ryo Kitaura
Sci. Rep., 7, 322 (2017)
1. Direct Chemical Vapor Deposition Growth of WS2 Atomic Layers on Hexagonal Boron Nitride
Mitsuhiro Okada, Takumi Sawazaki, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Hiroki Hibino, Hisanori Shinohara, and Ryo Kitaura
ACS Nano, 8, 8273 (2014)
非筆頭論文
13. Graphene-based crown-cork-like macrostructures
Kenta Hiratochi, Daisuke Terada, Hiroshi Suga, Mitsuhiro Okada, Kyoko Bando, Tetsuya Kodaira, Takatoshi Yamada, Tetsuo Shimizu, Koichiro Saiki, and Toshitaka Kubo
Mater. Chem. Front., 8, 814 (2023)
12. Suppression of copper surface oxidation by electrophoretically deposited graphene oxide film
Nan Ye, Kazuto Hatakeyama, Mitsuhiro Okada, Tetsuo Shimizu, and Toshitaka Kubo
AIP Adv., 13, 055002 (2023)
11. Charge stabilization of shallow nitrogen-vacancy centers using graphene/diamond junctions
Moriyoshi Haruyama, Yuki Okigawa, Mitsuhiro Okada, Hideaki Nakajima, Toshiya Okazaki, Hiromitsu Kato, Toshiharu Makino, and Takatoshi Yamada
Appl. Phys. Lett., 122, 141601 (2023)
10. Femtosecond photoluminescence from monolayer MoS2: Time-domain study on exciton diffusion
Kensuke Saito, Mitsuhiro Okada, Ryo Kitaura, Hideo Kishida, and Takeshi Koyama
Phys. Rev. B, 103, L201401 (2021)
9. Enhanced Exciton–Exciton Collisions in an Ultraflat Monolayer MoSe2 Prepared through Deterministic Flattening
Takato Hotta, Akihiro Ueda, Shohei Higuchi, Mitsuhiro Okada, Tetsuo Shimizu, Toshitaka Kubo, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, and Ryo Kitaura
ACS Nano, 15, 1370 (2021)
8. Fabrication of layer-by-layer graphene oxide thin film on copper substrate by electrophoretic deposition
Nan Ye, Satoka Ohnishi, Mitsuhiro Okada, Kazuto Hatakeyama, Kazuhiko Seki, Toshitaka Kubo, and Tetsuo Shimizu
Jpn. J. Appl. Phys., 59, 125001 (2020)
7. Dark-state impact on the exciton recombination of WS2 monolayers as revealed by multi-timescale pump-probe spectroscopy
Takashi Kuroda, Yusuke Hoshi, Satoru Masubuchi, Mitsuhiro Okada, Ryo Kitaura, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, and Tomoki Machida
Phys. Rev. B, 102, 195407 (2020)
6. Low frequency Raman study of interlayer couplings in WS2-MoS2 van der Waals heterostructures
Yuika Saito, Takahiro Kondo, Hiroki Ito, Mitsuhiro Okada, Tetsuo Shimizu, Toshitaka Kubo, and Ryo Kitaura
Jpn. J. Appl. Phys., 59, 062004 (2020)
5. CVD grown bilayer WSe2/MoSe2 heterostructures for high performance tunnel transistors
Toshifumi Irisawa, Naoya Okada, Wen Hsin Chang, Mitsuhiro Okada, Takahiro Mori, Takahiko Endo, Yasumitsu Miyata
Jpn. J. Appl. Phys., 59, SGGH05 (2020)
4. Monolayer MoS2 growth at the Au–SiO2 interface
Hong En Lim, Toshifumi Irisawa, Naoya Okada, Mitsuhiro Okada, Takahiko Endo, Yusuke Nakanishi, Yutaka Maniwa, and Yasumitsu Miyata
Nanoscale, 11, 19700 (2019)
3. Blister-based-laser-induced-forward-transfer: A non-contact, dry laser-based transfer method for nanomaterials
Nathan T. Goodfriend, Shu Yun Heng, Oreg A. Nerushev, Andrei V. Gromov, Alexander V. Bulgakov, Mitsuhiro Okada, Wenshuo Xu, Ryo Kitaura, Jamie H. Warner, Hisanori Shinohara, and Eleanor E. B. Campbell
Nanotechnology, 29, 385301 (2018)
2. Effect of a pick-and-drop process on optical properties of a CVD-grown monolayer tungsten disulfide
Yusuke. Hoshi, Mitsuhiro Okada, Rai Moriya, Satoru Masubuchi, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Ryo Kitaura, and Tomoki Machida
Phys. Rev. Mater., 2, 064003 (2018)
1. Suppression of exciton-exciton annihilation in tungsten disulfide monolayers encapsulated by hexagonal boron nitrides
Yusuke Hoshi, Takashi Kuroda, Mitsuhiro Okada, Rai Moriya, Satoru Masubuchi, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Ryo Kitaura, and Tomoki Machida
Phys. Rev. B, 95, 241403 (2017)
筆頭プロシーティングス
One-step chemical vapor deposition of 3D-NbS2/2D-MoS2 metal/semiconductor junctions
Mitsuhiro Okada, Naoya Okada, Wen-Hsin Chang, Toshitaka Kubo, Tetsuo Shimizu, Toshifumi Irisawa, and Masatou Ishihara
2021 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), 1-2 (2021)
非筆頭プロシーティングス
Gas-Source Chemical Vapor Deposition of Atomically Thin WS2 for LSI Device Applications
Toshifumi Irisawa, Mitsuhiro Okada, Naoya Okada, and Wen-Hsin Chang
2022 6th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference
(EDTM), 342 (2022)
著書
遷移金属ダイカルコゲナイドの基礎と最新動向
監修: 宮田耕充、吾郷浩樹、松田一成、長汐晃輔
シーエムシー出版, (2023)
受賞・表彰
2023年3月 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会 第19回 大澤賞
2021年3月 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会 若手奨励賞
2015年3月 名古屋大学大学院 理学研究科 理学研究科顕彰
2015年3月 名古屋大学大学院 理学研究科 物質理学専攻(化学系) 優秀学位論文賞