カスタムデバイスグループ/ Advanced Materials and Devices Integration Group

現在位置産総研ホーム組織 > デバイス技術研究部門 > カスタムデバイスグループ >  共同研究

当グループでは、共同研究、受託研究、技術研修、技術コンサルティングなどの受け入れを積極的に行っております。

お気軽にお問い合わせください。

<共同研究テーマの例>

@ 電子源技術(フィールドエミッタ、グラフェン平面電子源、他)

A 強誘電体トランジスタ関連技術

B グラフェン関連技術

C 層交換技術

など

共同研究実施例(公的機関)

共同研究相手 研究テーマ
筑波大学 環境半導体・磁性体研究室 薄膜結晶成長およびデバイス応用に関する研究
九州工業大学 脳型集積システム研究室 強誘電体ゲートトランジスタの脳型ハードウェアへの適用研究
名城大学 村田研究室 集束電極一体型フィールドエミッタの電子軌道シミュレーションと試作
八戸工業大学 嶋脇秀隆 教授 微小電子源のテラヘルツ波源応用に関する研究
成蹊大学 薄膜・表面物性研究室 HiPIMSスパッタリング技術の電子源応用に関する研究
横浜国立大学 プラズマ・宇宙推進研究室 マイクロ宇宙推進機用イオン源に関する研究
京都大学 後藤康仁 准教授 荷電粒子線源の応用に関する研究
静岡大学電子工学研究所 三村研究室 X線イメージングデバイスに関する研究 
筑波大学 佐々木・山田研究室 原子層物質を利用した超高効率平面型電子放出素子の創出 
大阪大学付属極限科学センター 若家グループ カンチレバーに関する研究 

                                                                         ※ 共同研究先様の許可を得て掲載しています。

    このほか、民間企業とも多数共同研究を行っています。

技術研修・RA受け入れ実績

カスタムデバイスグループでは、毎年数名の学生を技術研修やリサーチアシスタントとして受け入れて、修士/博士の学生とも研究を進めています。
 技術研修RA受入元大学の例
2016年6名1名八戸工業大学、筑波大、成蹊大、横浜国立大、静岡大、名城大、京都大、大阪大、九州工業大 など
2017年4名6名
2018年4名9名
2019年4名6名
2020年2名5名
2021年1名4名
2022年2名3名
2023年2名3名
2024年2名4名

連絡先

国立研究開発法人 産業技術総合研究所
デバイス技術研究部門
カスタムデバイスグループ

〒305-8568
茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第2 2-1A棟 214室
電話:050-3521-1447(グループ長)