GHI研究グループ
GHI研究グループは、・・・・簡単な説明文をこちらに入力してください・・・・・・。
グループの研究課題または研究成果など
○×○×○×○×の研究
「結晶・素子化プロセス・デバイス実証」の一環研究を進める結晶成長チーム、デバイスプロセスチーム1、デバイスプロセスチーム2に加えて、ワイドバンドギャップ半導体デバイス実用化促進のもうひとつのキーであるデバイス特性（超低損失、高温動作、高速動作）を生かすためのパワエレ機器構成技術（回路・実装）の開発・・・・。
写真・イメージのキャプション（省略可）
写真・イメージのキャプション（省略可）
○×○×○×○×の研究
「結晶・素子化プロセス・デバイス実証」の一環研究を進める結晶成長チーム、デバイスプロセスチーム1、デバイスプロセスチーム2に加えて、ワイドバンドギャップ半導体デバイス実用化促進のもうひとつのキーであるデバイス特性（超低損失、高温動作、高速動作）を生かすためのパワエレ機器構成技術（回路・実装）の開発・・・・。
○×○×○×○×の研究
「結晶・素子化プロセス・デバイス実証」の一環研究を進める結晶成長チーム、デバイスプロセスチーム1、デバイスプロセスチーム2に加えて、ワイドバンドギャップ半導体デバイス実用化促進のもうひとつのキーであるデバイス特性（超低損失、高温動作、高速動作）を生かすためのパワエレ機器構成技術（回路・実装）の開発・・・・。
写真・イメージのキャプション（省略可）
写真・イメージのキャプション（省略可）
○×○×○×○×の研究
「結晶・素子化プロセス・デバイス実証」の一環研究を進める結晶成長チーム、デバイスプロセスチーム1、デバイスプロセスチーム2に加えて、ワイドバンドギャップ半導体デバイス実用化促進のもうひとつのキーであるデバイス特性（超低損失、高温動作、高速動作）を生かすためのパワエレ機器構成技術（回路・実装）の開発・・・・。
○×○×○×○×の研究
「結晶・素子化プロセス・デバイス実証」の一環研究を進める結晶成長チーム、デバイスプロセスチーム1、デバイスプロセスチーム2に加えて、ワイドバンドギャップ半導体デバイス実用化促進のもうひとつのキーであるデバイス特性（超低損失、高温動作、高速動作）を生かすためのパワエレ機器構成技術（回路・実装）の開発・・・・。
写真・イメージのキャプション（省略可）
写真・イメージのキャプション（省略可）
○×○×○×○×の研究
「結晶・素子化プロセス・デバイス実証」の一環研究を進める結晶成長チーム、デバイスプロセスチーム1、デバイスプロセスチーム2に加えて、ワイドバンドギャップ半導体デバイス実用化促進のもうひとつのキーであるデバイス特性（超低損失、高温動作、高速動作）を生かすためのパワエレ機器構成技術（回路・実装）の開発・・・・。
グループの構成メンバー
| 顔写真 | 所属・役職および名前 | 専門分野 | その他、etc |
|---|---|---|---|
 |
グループ長
板垣 退助（Taisuke ITAGAKI） |
セラミックス界面の理論計算 | |
|
主任研究員
岩倉 具視（Tomomi IWAKURA） |
金触媒界面の理論計算 | |
|
主任研究員
植木 枝盛（Emori UEKI） |
計算機物理学による物質設計 | |
|
研究員
与謝野 晶子（Akiko YOSANO） |
電極触媒、可逆燃料電池 | |
|
研究員
大隈 重信（Shigenobu Okuma） |
エネルギー媒体 | |
|
研究員
大久保 利通（Toshimichi Okubo） |
劣化要因、測定技術、電極構造 |