エネルギー問題解決や高度情報化社会の実現には、半導体機器が省エネルギー性に優れ、高速に動作することが重要です。その中で、従来よりも高性能な半導体の素材として注目されるガリウム(Ga)系の窒化物を使った半導体技術の開発とその発展は、グリーンイノベーションの達成に大きな役割を担うと考えられています。

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GaN-OIL ラボ長 清水 三聡
GaN-OIL 桂冠フェロー 天野 浩(名古屋大学未来材料・システム研究所 教授)
GaN-OIL 副ラボ長 宇治原 徹(名古屋大学未来材料・システム研究所 教授)
GaN-OIL 副ラボ長 澤田 真和
GaN-OIL ラボ研究主幹 山田 寿一

GaNパワーエレクトロニクスチーム

ラボチーム長 清水 三聡(兼:ラボ長)
主任研究員 山田 永
主任研究員 田岡 紀之
チーム付 沈 旭強(兼:先進パワーエレクトロニクス研究センター 上級主任研究員)
チーム付 井手 利英(兼:先進パワーエレクトロニクス研究センター 主任研究員)
チーム付 中島 昭(兼:先進パワーエレクトロニクス研究センター 主任研究員)

GaN光デバイスチーム

ラボチーム長 王 学論(兼:電子光技術研究部門 研究グループ長)
主任研究員 熊谷 直人
チーム付 榊田 創(兼:電子光技術研究部門 研究グループ長)
チーム付 永瀬 成範(兼:電子光技術研究部門 主任研究員)

○窒化物半導体パワーエレクトロニクス技術の開発

市場の大きい家庭用の電気製品などの高効率化は、二酸化炭素の排出抑制にとても有効です。窒化物半導体パワーデバイスはこれらの製品に用いられているAC/DC変換器やDC/DC変換器などの高効率化や小型化を可能にする技術として注目されています。二次元電子ガスを用いたAlGaN/GaN HEMTは、高速スイッチングが可能であり、特に小型化などに効果があります。窒化物半導体パワーデバイスの高機能化・実用化に必要となるGaN結晶成長技術やデバイス構造の設計および製作技術、回路での動作実証などに取り組んでいきます。

○光デバイス技術の開発

窒化物半導体光デバイスの更なる用途拡大のためには、赤・近赤外および紫外への波長域の拡大や、高出力化・新機能化が重要です。当ラボラトリでは、独自原理による高指向性可視光LEDや準大気圧プラズマ源搭載MOCVDによる高In組成InGaN結晶成長技術の開発を行います。また、指向性LEDによるウェアラブル型情報端末用の超低消費電力ディスプレイや耐環境性ファイバー通信などへの応用に向けて、マイクロLEDの実装技術の開発にも取り組んでいきます。

名古屋大学東山キャンパス

事務オフィス 愛知県名古屋市千種区不老町
赤﨑記念研究館4階

電話052-736-7611(代表)