お知らせ
Qufabファウンドリの2026年度利用受付を開始しました。利用手続き詳細はこちらをご確認ください。ご興味のある方は、お気軽にお問合せください。
- Qufabは、産総研に設置された超電導デバイス作製のためのクリーンルームです。
- 2026年度はPHSTP、1KP標準施策を、それぞれ6回ずつ行う予定です。
2026年度対象
研究目的の国内外の組織、公共機関、民間企業締め切り（第一回）
申込締切 2026年3月31日（火）設計データの提出〆切 PHSTPプロセス 2026年4月27日（月）
1KPプロセス 2026年4月27日（月）
料金
お問い合わせください。仕様
| PHSTPプロセス |
Nb層数：4 Nb/Al-AlOx/Nb ジョセフソン接合層 Mo 抵抗層 平坦化されたSiO2 層間絶縁膜 最小線幅：1.0 µm 最小ジョセフソン接合：1.0 µm角 ジョセフソン接合の臨界電流密度(Jc)：10 kA/cm2 シート抵抗：2.4 Ω チップサイズ：7.1 x 7.1 mm  S. Nagasawa et al., IEICE Trans. Electron., vol. E104-C, no.9, pp. 435–445, Sep. 2021. |
|---|---|
| 1KPプロセス |
Nb層数：4 Nb/Al-AlOx/Nb ジョセフソン接合層 Pd 抵抗層 平坦化されたSiO2 層間絶縁膜 最小線幅：1.0 µm 最小ジョセフソン接合：1.0 µm角 ジョセフソン接合の臨界電流密度(Jc)：1 kA/cm2 シート抵抗：1.2 Ω チップサイズ：5.0 x 5.0 mm  T. Yamae et al., Sci. Rep., vol. 15, 41429, 2025. |