お知らせ
Qufabファウンドリ（相乗り）の2025年度利用公募を開始しました。利用手続き詳細はこちらをご確認ください。
2025年度対象
研究目的の国内外の組織、公共機関、民間企業締め切り
申込締切 2025年7月14日（月）設計データの提出〆切 PHSTPプロセス 2025年8月6日（水）
HSTPプロセス 2025年7月30日（水）
料金
お問い合わせください。仕様
| PHSTPプロセス |
Nb層数：4 Nb/Al-AlOx/Nb ジョセフソン接合層 Mo 抵抗層 平坦化されたSiO2 層間絶縁膜 最小線幅：1.0 µm 最小ジョセフソン接合：1.0 µm角 ジョセフソン接合の臨界電流密度(Jc)：10 kA/cm2 シート抵抗：2.4 Ω チップサイズ：5 x 5 mm  S. Nagasawa et al., IEICE Trans. Electron., vol. E104-C, no.9, pp. 435–445, Sep. 2021. |
|---|---|
| HSTPプロセス |
Nb層数：4 Nb/Al-AlOx/Nb ジョセフソン接合層 Mo 抵抗層 SiO2 層間絶縁膜（平坦化なし） 最小線幅：1.0 µm 最小ジョセフソン接合：1.0 µm角 ジョセフソン接合の臨界電流密度(Jc)：10 kA/cm2 シート抵抗：2.4 Ω チップサイズ：7.1 x 7.1 mm  N. Takeuchi et al., Supercond. Sci. Technol., vol. 30, no. 3, Jan. 2017. |