Qufab*ファウンドリの利用を開始しました。ご興味のある方は、お気軽にご連絡ください。
*Qufabは、産総研にある超伝導デバイス作成のためのクリーンルームです。

概要	Qufabファウンドリでは、超伝導回路の設計データから、デバイスを製作します。
2024年度対象	研究目的の国内外の組織、公共機関、民間企業
締切	申込締切：今年度の申込は終了しました。 設計データの提出締切：2024年10月15日（火）
料金	お問合せください。
ファウンドリ利用手続き	1. ユーザーからのお申込み 2. Qufabによる審査 3. Qufabからユーザーへ受入可能のご連絡 受入可の場合 4. AISol*1とユーザー間の「技術コンサルティング契約*2」の締結 5. ユーザーからAISolへの料金の原則事前納付 6. ユーザーはQufabの指定日までにQufabへ設計データ（gds形式）を提出 7. Qufabでのデバイス試作、Qufabからユーザーへの試作デバイス、試作データ提供 8. ユーザーによる試作データの確認 *1 AISol (株式会社 AIST Solutions)： ナショナル・イノベーション・エコシステム牽引のため、2023年４月1日に設置された産総研100％出資会社。 AISolは、契約手続きを主体となって行い、産総研グループとして本事業を進めております。  *2 今年度のQufabファウンドリはAISolの技術コンサルティング制度を用いて行います。 技術コンサルタント契約の詳細は以下のURLをご覧ください。 https://www.aist.go.jp/Portals/0/images/business/alliance/02_policy.pdf
PHSTPプロセス	Nb層数：4 Nb/Al-AlOx/Nb ジョセフソン接合層 Mo 抵抗層 平坦化されたSiO2 層間絶縁膜 最小線幅：1.0 μm 最小ジョセフソン接合：1.0 μm角 ジョセフソン接合の臨界電流密度(Jc)：10 kA/cm2 シート抵抗：2.4 Ω S. Nagasawa et al., IEICE Trans. Electron., vol. E104-C, no.9, pp. 435–445, Sep. 2021.
お申込み・お問合せ	M-Qufab-foundry-ml*aist.go.jp（送信時は、* を @ に置き換えてください）