内容　About Research

�@パワー半導体デバイス

【背景】 ダイヤモンドパワーデバイスの実力については期待が大きいものの、実際に車用インバータへの組み込みなどによる課題については、技術ステージの未熟さから不透明であり、基板、デバイス、実装の各レイヤが連携し開発を加速する状況に踏み込めていない。
【取り組み】 ダイヤモンドMOSFETおよび車用インバータを開発し、材料物性の評価だけでは見通せていない各レイヤの課題、パワー応用の見通しを明らかにする。 既存の先進パワーエレクトロニクス拠点の研究施設の整備および拡充を通じたダイヤモンド半導体拠点を構築し運営する。

---

�A次世代電子デバイス

【背景】 他の半導体には無い特徴を生かした次世代電子デバイスとしてパワーの他、高周波や量子の分野にても新しい応用領域への広がりに対し期待が大きいものの課題の不透明さなどから、開発を加速する状況になっていない。
【取り組み】 高周波通信デバイスおよび新規量子デバイス等の探索研究を行い、Hondaが目指す社会像に資するダイヤモンド半導体応用の見通しを明らかにする技術の開発に取り組む。

---

背景・必要性

Hondaが着目するダイヤ半導体のポテンシャル

---

---

技術解説

「ダイヤモンド表面の代表的な終端構造」

---

「水素終端と表面伝導層(Surface conductive layer: SCL」

・合成直後の表面は、水素終端され、かつ表面伝導層 (SCL) が存在する。
・SCLは p-type 半導体層である。
・高いシートキャリア（正孔）密度と、極めて小さい温度依存性を特徴とする
・起源は�@トランスファードーピングモデル（表面吸着物）と�Aアクセプターモデルがある。


Ref.)
・K. Hayashi et al., Appl. Phys. Lett., 68, 376 (1996).
・F. Maier et al., Phys. Rev. Lett., 85, 16, 3472 (2000).

---