方針

Honda主導による速やかな製品化と出口を見据え、新しい応用領域の課題探索から基盤研究、応用研究まで関連企業やアカデミアとのオープンイノベーションと共に一気通貫できるダイヤモンド半導体拠点を構築する。

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冠ラボ長メッセージ　松村 定晴

2050年に必要不可欠な半導体材料

　持続可能社会のステージゲートと考えられる2050年に向けて、モビリティの電動化を始めあらゆる「もの」の電化が進む現在、SiCやGaNを代表としたワイドバンドギャップ半導体デバイスの研究,開発が進められてきました。そして昨今では更に広いバンドギャップを持つウルトラワイドバンドギャップ半導体の研究が活発になってきています。
　その中でもダイヤモンドは、パワー半導体に求められる高耐圧特性（バリガ性能指数）とRF半導体に求められる高周波特性（ジョンソン性能指数）と共に、高い熱伝導率や過酷環境動作性能（高温・高放射線）においても他の半導体材料を凌駕しています。加えて、低い誘電率などに伴うユニークな物性を有しており、半導体の可能性を拡げる究極の次世代パワー／電子半導体材料として注目されています。
　本田技術研究所と産総研グループは、これらダイヤモンド半導体の究極性とユニーク性に着目し、基板・デバイスから実装化技術まで一貫した研究開発を行うことで、新領域,新価値モビリティへの社会実装を実現し、同時に社会全体の電力消費の削減に貢献したいと考えます。

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副冠ラボ長メッセージ　竹内 大輔

　ダイヤモンド半導体にはまだまだ課題が多い中、基盤研究から応用に向け、オープンイノベーションの拠点を築きながら歩んでいく心強いパートナーとして、Honda R&D様と冠ラボ（連携研究室）を設置する機会を頂きました。30年に亘る産総研のダイヤモンド半導体技術とHonda R&D様の実用化技術との連携から、新しい知見を社会に還元していくための研究開発を進めて行きます。

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副冠ラボ長メッセージ　山田英明

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