半導体・有機固体中活性種の時間分解分光計測
顕微鏡（明視野・共焦点・近接場）下で、微小
領域における高速反応を過渡吸収分光法によって観測する装置を開発しています。
過渡吸収分光とは、 短パルスレーザーを使って、短時間で起こる化学反応や伝導電荷のふるまいを光吸収によって直接観測する分光法です。
過渡吸収分光とは、 短パルスレーザーを使って、短時間で起こる化学反応や伝導電荷のふるまいを光吸収によって直接観測する分光法です。
（左）
フェムト秒過渡吸収顕微鏡装置 （右）有機結晶表面での励起子生成緩和過程の観測
半導体極浅活性不純物の走査プローブ顕微鏡計測
シ リ コンの極浅表面層に活性不純物を注入するイオンビーム注入技術、およびその分布を計測する走査プローブ顕微鏡技術を開発しています。
シ リ コンの極浅表面層に活性不純物を注入するイオンビーム注入技術、およびその分布を計測する走査プローブ顕微鏡技術を開発しています。
（左）
極低エネルギーイオン注入（＜100eV）装置 （右）STMでひとつずつ観測したシリコン表面の活性不純
物
フェムト秒レーザーによる分子配向技術
位相制御光と呼ばれる特殊な光を用いることによって気体分子の頭と尻尾を区別した分子配向制御を世界に先駆けて実現しました。
位相制御されたフェムト秒光パルスによる分子配向のコヒーレンと制御とその観測法