金属クラスター錯体イオンビームを用いた微量元素の高精度計測技術の開発
金属クラスター錯体という巨大分子のイオンビームを用いて、材料表面の原子層を剥ぐように削、そこに含まれる微量な元素を高精度に計測する技術の開発を行っています。
 クラスターイオンビームの特徴は、単原子ビームで問題となるミキシングの影響が小さく原子層レベルで表面を削ることができることです。これは、クラスターイオンが材料表面に衝突する際、クラスターイオンの持つ運動エネルギークラスター構成原子分配され、1原子あたりのエネルギーが小さくなることにより表面近傍の粒子のみがスパッタされるためです。
 さらに、クラスターを構成した多数の原子がスパッタリングに寄与するため、単原子ビームと比べてスパッタ効率が高、表面の原子層を効率良く剥ぐように削ることができます。
金属クラスター錯体イオンビーム材料表面の原子層を剥ぐように削ることができます。
これにより、半導体中の微量元素を高い深さ分解能で高精度に計測することができます。 
活性種で削る
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