産総研は、官民一体となって取り組む日本の半導体産業復興に向けた活動の一翼を担っております。
九州センター独自の取り組みとして
- 半導体ウエハの再配線〜パッケージング設備を用いたデバイス試作や電子材料評価
- 半導体製造にかかわる一連のセンサー類の研究開発と半導体ファブへのセンサー実装
を推進しております。
半導体パッケージ技術開発・試作ファブ 試作・評価設備
汎用装置群

ハイソル(株)
研究開発用卓上型ボンダー
対象チップサイズ:□0.5~10mm(ノズル手配必要の場合有)
対象基板サイズ:□5~25mm
アライメント精度:±3μm
印加荷重:50~4000gf

ハイソル(株)
卓上型
(米国ウエスト・ボンド社製)

ハイソル(株)
卓上型
(米国ウエスト・ボンド社製)

アピックヤマダ(株)
基板サイズ:Φ20mm
成型サイズ:Φ12.8、12.9、13.0mm
モールド樹脂:液状樹脂(5ccシリンジ供給)
成型方式:コンプレッション成型

(株)菅製作所
基板ホルダー:Φ200mm
基板加熱:300℃
カソード:Φ2”x3t(3基:Al、Ti、Cu)
成膜方向:スパッタUP

ミカサ(株)
最大基板サイズ:φ6インチウエハーまたは100×100㎜基板
回転数(rpm):20~7,000
ステップ・パターン数:100ステップ×10パターン
時間設定:999.9sec
使用真空圧:-0.08~-0.1MPa

ハイデルベルグ・インストルメンツ(株)
最大露光サイズ:100x100mm
光源波長:365nm
最小露光線幅:1μm
露光方式:DMDスキャン露光

アクテス京三(株)
ウエハサイズ:Φ2~6“
方式:スプレー、パドル
薬液:2種
リンス:1種
エッジ、バックリンス対応

ヤマト科学(株)
温度範囲:~360℃
炉内温度分布:±3℃
到達酸素濃度:≦1%
運転方式:プログラム(99ステップ)運転

ブルカージャパン(株)
ステージサイズ:100x100mm
測定長さ:最大55mm
高さ分解能:1Å
触針圧:1~15mg

フィルメトリクス(株)
測定波長範囲:380~1050nm
膜厚測定範囲:15nmから70μm
測定誤差:±0.2%
測定スポット径:1.5mm

オリンパス(株)
倍率:20~7000倍
測長精度:±3%(X-Y)、σn-1≦1μm(Z)
チルト機構:90°
観察方法:明視野、暗視野、MIX、偏射、微分干渉

常陽工学(株)
最大基板サイズ:110x110mm
加圧力:≧0.5MPa
到達真空度:≦10Pa
上下ステージ温度:≦120℃

武井レーザー電機工業(株)
波長:355nm
レーザー走査範囲:150x150mm
ビーム径:Φ10μm
位置合せ:画像認識カメラ
位置決め精度:≦±5μm

サムコ(株)
水蒸気(H₂O)を用いたプラズマ処理装置
用途:金属酸化膜の還元、有機物の洗浄
フットプリント:500 mm W x 650 mm
水蒸気生成:ワンタッチ起動