産総研は、官民一体となって取り組む日本の半導体産業復興に向けた活動の一翼を担っております。
九州センター独自の取り組みとして
- 半導体ウエハの再配線〜パッケージング設備を用いたデバイス試作や電子材料評価
- 半導体製造にかかわる一連のセンサー類の研究開発と半導体ファブへのセンサー実装
を推進しております。
Device Experiment デバイス試作・電子材料評価設備
汎用装置群
ハイソル（株）
研究開発用卓上型ボンダー
対象チップサイズ：□0.5～10mm（ノズル手配必要の場合有）
対象基板サイズ：□5～25mm
アライメント精度：±3μm
印加荷重：50～4000gf
ハイソル（株）
卓上型
（米国ウエスト・ボンド社製）
ハイソル（株）
卓上型
（米国ウエスト・ボンド社製）
（株）菅製作所
基板ホルダー：Φ200mm
基板加熱：300℃
カソード：Φ２”ｘ３t（３基：Al、Ti、Cu）
成膜方向：スパッタUP
アピックヤマダ（株）
基板サイズ：Φ20mm
成型サイズ：Φ12.8、12.9、13.0mm
モールド樹脂：液状樹脂（5ccシリンジ供給）
成型方式：コンプレッション成型
ミカサ（株）
最大基板サイズ：φ6インチウエハーまたは100×100㎜基板
回転数(rpm)：20～7,000
ステップ・パターン数：100ステップ×10パターン
時間設定：999.9sec
使用真空圧：-0.08～-0.1MPa
ハイデルベルグ・インストルメンツ（株）
最大露光サイズ：100ｘ100mm
光源波長：365nm
最小露光線幅：1μm
露光方式：DMDスキャン露光
常陽工学（株）
最大基板サイズ：110ｘ110mm
加圧力：≧0.5MPa
到達真空度：≦10Pa
上下ステージ温度：≦120℃
ヤマト科学（株）
温度範囲：～360℃
炉内温度分布：±3℃
到達酸素濃度：≦1％
運転方式：プログラム（99ステップ）運転
ブルカージャパン（株）
ステージサイズ：100ｘ100mm
測定長さ：最大55mm
高さ分解能：1Å
触針圧：1～15mg
フィルメトリクス（株）
測定波長範囲：380～1050nm
膜厚測定範囲：15nmから70μm
測定誤差：±0.2％
測定スポット径：1.5mm
オリンパス（株）
倍率：20～7000倍
測長精度：±３％（X-Y）、σn-1≦1μm（Z）
チルト機構：90°
観察方法：明視野、暗視野、MIX、偏射、微分干渉
ミニマル装置群
（株）石井工作研究所
ミニマル仕様
基板サイズ：Φ13.5mm
ウエハーサイズ：Φ12.5mm
ダイボンドペースト：5ccシリンジ供給
マウント方式：加熱加圧接合
アピクヤマダ（株）
ミニマル仕様
基板サイズ：Φ13.5mm
成型サイズ：Φ12.8、12.9、13.0mm
モールド樹脂：液状樹脂（10ccシリンジ供給）
成型方式：コンプレッション成型
澁谷工業（株）
ミニマル仕様
基板サイズ：Φ13.5mm
レーザー波長：355nm
レーザー出力：最大１W
照射光学系：２Ｄガルバノスキャナー
（株）片桐エンジニアリング
ミニマル仕様
基板サイズ：Φ13.5mm
（株）デザインネットワーク
ミニマル仕様
基板サイズ：Φ13.5mm
誠南工業（株）
ミニマル仕様
基板サイズ：Φ13.5mm
熊本防錆工業（株
ミニマル仕様
基板サイズ：Φ13.5mm
めっき方式：電解銅めっき
リソテック・ジャパン（株）
ミニマル仕様
基板サイズ：Φ13.5mm
レジスト：5ccシリンジ供給
幅300×奥行450×高さ1440
（株）ピーエムティー
ミニマル仕様
基板サイズ：Φ13.5mm
光源波長：385nm
露光分解能：1/1（L/S）μm
露光方式：DMDスキャン露光
リソテックジャパン㈱
ミニマル仕様
基板サイズ：Φ13.5mm
現像液：5ccシリンジ供給
リソテックジャパン㈱
ミニマル仕様
基板サイズ：Φ13.5mm
アセトン：5ccシリンジ供給
（株）ゼビオス
ミニマル仕様
基板サイズ：Φ13.5mm
洗浄液：5ccシリンジ供給
