Last Update: 11/6/2024
お知らせ
- 2024/11/6
- 2024年12月19日（木）第11回電子光技術 / GaN-OIL合同シンポジウム ―次世代ICTデバイスの展望―を開催いたします。
【日時】2024年12月19日（木）10:00-17:35 定員200名（申込制）申込締切（12/9）
【会場】秋葉原UDXカンファレンス（東京都千代田区外神田 4 - 1 4 - 1 秋葉原 UDX 南ウイング 6 F )
- 2024/11/6
- ホームページを更新しました。
- 2024/9/3
- ホームページを更新しました。
- 2024/7/23
- 2024年10月11日（金）第11回電子光技術 / GaN-OIL合同シンポジウム ―次世代ICTデバイスの展望―を開催いたします。
【「産総研中部センター「未来モビリティ材料」共創フェア ∼材料および部材開発の自動化・自律化技術∼ 】
(2024年10月11日（金）、ミッドランドホール（JR名古屋駅直結ミッドランドスクエア内）)
※当ラボからは、王学論ラボチーム長が『VR/ARディスプレイ向けGaNマイクロLEDの開発』に関するポスター発表を行います。 - 2024/7/23
- ホームページを更新しました。
- 2024/4/25
- ホームページを更新しました。
- 2024/4/15
- ホームページを更新しました。
- 2024/2/19
- ホームページを更新しました。
- 2023/12/12
- 王学論ラボチーム長の、3.5ミクロン角GaN高効率マイクロLEDに関する論文がNature Communications に掲載されました。
"3.5 × 3.5 μm2 GaN blue micro-light-emitting diodes with negligible sidewall surface nonradiative recombination"
(2023.11.21掲載、オープンアクセス)(東北大学、台湾國立陽明交通大學との共同研究)
※本技術に関連する共同研究・技術コンサルティングのパートナーを募集しております。 - 2023/12/12
- ホームページを更新しました。
- 2023/10/24
- ホームページを更新しました。
- 2023/08/23
- 2023年10月20日（金）に開催される産総研中部センター共創フェアで研究成果の紹介を行います。（→ 終了しました）
【「未来モビリティ材料」共創フェア∼マテリアルDXを活用したオープンイノベーションに向けて∼ 】
(2023年10月20日（金）、ミッドランドホール（JR名古屋駅直結ミッドランドスクエア内）) - 2023/08/23
- ホームページを更新しました。
- 2023/07/26
- ホームページを更新しました。
- 2022/09/5
- 10月28日（金）に開催される産総研中部センター社会実装フェアで研究成果の紹介を行います。（→ 終了しました）
【産総研中部センター社会実装フェア ―中部地域における産業のDXに向けて― 】
(2022年10月28日開催、ウインクあいち & オンライン) - 2022/04/27
- プレスリリースを行いました。
窒化物半導体薄膜結晶を作製するための新手法を開発
－窒素プラズマを供給して世界最高品質を実現－ - 2016/04/12
- 名古屋大学東山キャンパスに「産総研・名大 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ」（GaN-OIL）を設立
エネルギー問題解決や高度情報化社会の実現には、半導体機器が省エネルギー性に優れ、高速に動作することが重要です。
その中で、従来よりも高性能な半導体の素材として注目されるガリウム(Ga)系の窒化物を使った半導体技術の開発とその発展は、グリーンイノベーションの達成に大きな役割を担うと考えられています。
窒化ガリウム（GaN）材料をもちいたパワーデバイスや発光デバイスは、エネルギー利用の高度化・高効率化を支える重要な技術です。
当ラボラトリでは、実用化へ向けた「橋渡し」研究として、材料から応用に至る幅広い研究を行っています。
主な研究テーマ
窒化物半導体パワーエレクトロニクス技術の開発
GaN パワーデバイスの高速動作を利用した高周波電源や高周波通信技術の開発が進められています。GaN パワーデバイスの高速動作を利用すると電源を小型化することができ、ドローンや IoT 関連機器への応用が期待されています。また、GaNデバイスを用いた高周波デバイスはポスト５Ｇでの応用が期待されています。当ラボラトリでは GaNパワーデバイスの性能向上に必要となる結晶成長技術、AlGaN/GaN HEMT やGaN-MOSFET などのデバイスのプロセス技術、MHz以上でのスイッチング動作を利用した小型電源技術などの開発を行っています。
光デバイス技術の開発
窒化物半導体光デバイスの更なる用途拡大のためには、赤・近赤外および紫外への波長域の拡大や、高出力化・新機能化が重要です。当ラボラトリでは、独自原理による高指向性可視光マイクロLEDや、独自開発した準大気圧プラズマ源を搭載したMOCVDによる高In組成赤色発光InGaN結晶の成長技術の開発などを行っています。また、将来の「スマートグラス」など次世代情報端末に必要な高輝度、高解像度、低消費電力を兼ね備えたVR（仮想現実）／ AR（拡張現実）用ヘッドマウントディスプレイの実現に向けて、高指向性マイクロLEDの実装技術の開発にも取り組んでいます。
連絡先
窒化物半導体先進デバイス
オープンイノベーションラボラトリ
(産業技術総合研究所中部センター
名古屋大学連携研究サイト）
事務オフィス
〒464-8601
愛知県名古屋市千種区不老町
名古屋大学 赤﨑記念研究館４階
電話
052-736-7611（代表）
Eメール
info-gan-ml*aist.go.jp
（*を@に変更して使用してください。）