産友会メールマガジン第55号 【パワーエレクトロニクス関連技術】
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産総研中国センター友の会（産友会）メールマガジン
【第55号/ 2016.7.29発行】
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【特集：パワーエレクトロニクス関連技術】
電力変換やモーター制御等で必要となるパワー半導体の世界市場規模は自動車や産業機器向けが市場を牽引し、2020年は231億ドルに、2025年は339億ドルに拡大すると予測されています。（http://www.yano.co.jp/press/pdf/1499.pdf）
（報告書、記事等）
■次世代パワーエレクトロニクス（どこでもパワエレ機器で豊かな省エネ社会）
内閣府に設置された総合科学技術・イノベーション会議による「戦略的イノベーション創造プログラム(SIP)」のひとつとして本技術が取り上げられました。
■低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト
NEDOが平成21年度より実施しているプロジェクトの平成28年度版の実施計画です。
■新エネルギーの展望 パワーエレクトロニクス
財団法人 エネルギー総合工学研究所が作成した資料で、パワーエレクトロニクスの歴史から今後の展望について一般向けに解説したものです。
■次世代パワー半導体のインパクト
ローム株式会社のHP上の記事で、SiCやGaNの次世代パワー半導体の持つ意義が分かりやすく解説されています。
（産総研関係）
■先進パワーエレクトロニクス研究センター
当研究センターでは、一つの研究ユニットに半導体結晶成長から電力変換機器応用までの異なる技術階層の研究者を集結させ、一体的かつ統合的に研究を推進しています。
■TIA システム化プラットフォーム パワーエレクトロニクス
オープンイノベーション拠点TIAは、産総研の30年以上にわたるSiC結晶成長からウエハ加工、エピタキシャル膜成長、SiCデバイス製造にいたる研究開発を基盤として、企業、大学、研究機関が結集し、世界をリードする日本のSiC研究開発の中心的役割を担っています。
■エネルギー問題を解決するパワーエレクトロニクス革新のために産総研は何をするか？
産総研研究者によるプレゼン資料です。
■16 kVの高電圧に耐えるSiCパワー半導体トランジスタを開発 －低炭素社会に向けた電力の有効利用、省エネルギー化に道筋－
産総研は、炭化ケイ素（SiC）半導体を用いて、16 kVという超高耐電圧特性を持つ独自構造の絶縁ゲートバイポーラ・トランジスタ（IGBT）を開発しました。
■極めて高い熱伝導率を持つ窒化ケイ素セラミックス －パワーデバイス用回路基板への展開に期待－
産総研などは、窒化ケイ素（Si3N4）セラミックスの熱伝導率を従来品に比べて飛躍的に高めることにより、高熱伝導率、高強度、高靱性を兼ね備えたセラミックスを開発しました。
■SiCダイオードを活用し高電圧・大容量の電力変換器の高速駆動に成功 －社会インフラ向けの大型電力変換設備を格段に小型化できる技術－
産総研などは、IEGTのスイッチング周波数を従来比4倍の2kHzとすることに初めて成功しました。これは電力変換器としては4kHzと等価な高速駆動であり、電力変換設備の大幅な小型化（従来比約1/5）の見通しを得ました。
■炭化ケイ素パワーデバイスのコスト削減を可能に －炭化ケイ素（SiC）の高速エピタキシャル成長技術を開発－
産総研は、高性能パワーデバイス作製の鍵となる炭化ケイ素（SiC）エピタキシャル膜の高速成長を可能とする「近接垂直ブロー型CVD炉」を開発し、従来装置に比べて二桁速い成長速度を実現しました。
■各種インバータ用途の炭化珪素パワートランジスタで世界最高性能 －超低電力損失パワートランジスタで地球温暖化ガス排出量の１％削減に寄与－
産総研などは、耐圧700V、オン抵抗1.01 mΩcm2という耐圧600 V～1.2 kV系のスイッチング素子として、世界最高性能の超低電力損失パワートランジスタの開発に成功しました。
■ダイヤモンドウエハーの低欠陥コピー技術を実証
産総研は、究極の材料特性をもつダイヤモンドのパワーデバイス化に道を拓く低欠陥コピー技術を実証しました。
■高速・低損失なダイヤモンドパワーデバイスの高温動作を実証 －省エネルギーのための次世代半導体材料－
産総研などは、世界で初めてダイヤモンド半導体を用いたダイオードの250 ℃の高温での高速・低損失動作を確認しました。
（学会、その他）
■パワーエレクトロニクス学会
当学会は、パワーエレクトロニクスに関する研究の進歩とその成果の活用をはかり、もって斯界の技術の向上、発展に寄与することを目的としています。
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