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エネルギー・環境領域
先進パワーエレクトロニクス研究センター



更新情報

 2018年10月11日  「研究センター紹介」→「先進パワーエレクトロニクス研究とは」を更新
 2018年4月10日  「研究チーム紹介」を更新
 2017年9月12日  「研究チーム紹介」を更新
 2017年6月7日  「組織図と構成メンバー」を更新
 2017年5月25日  「組織図と構成メンバー」「研究チーム紹介」を更新
 2016年8月19日  「研究チーム紹介」を更新
 2016年6月1日  「組織図と構成メンバー」を更新
 2016年4月21日  「組織図と構成メンバー」を更新

TOPICS

2017年12月5日 1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発  
関連ページ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20171205/pr20171205.html
2017年1月26日 パワーデバイス内部の電界を正確に計測することに成功  
関連ページ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170126/pr20170126.html
2016年8月22日 世界初!反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功
関連ページ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2016/pr20160822/pr20160822.html
2014年5月22日 当所広報誌「産総研TODAY」5月号のResearch Hotlineに当研究センター加藤智久主任研究員
(ウエハプロセスチーム長)の「昇華特性に優れたSiC粉末原料を開発」が掲載されました。  
関連ページ  http://www.aist.go.jp/Portals/0/resource_images/aist_j/aistinfo/aist_today/vol14_05/vol14_05_p15.pdf
2013年12月18日 高昇華レートを実現するSiCバルク単結晶成長用粉末原料を開発  
関連ページ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2013/pr20131203/pr20131203.html
2013年9月25日 先進パワーエレクトロニクス研究センター超高耐圧デバイスチームは、SiC半導体を用いて、
従来のSi半導体では到達できない16kVという
超高耐圧のパワースイッチング素子SiC-IGBTの試作に成功した。
p型コレクタ層をエピタキシャル成長によって作製するフリップ型の技術、
当センター独自のカーボン面を利用したIE構造等の採用により、超高耐圧と低損失特性を実現した。  
この成果は、内閣府の最先端研究開発支援プログラム(FIRST)
「低炭素社会創成へ向けた炭化ケイ素(SiC)革新パワーエレクトロニクス研究開発
【中心研究者木本恒暢京都大学工学研究科教授】」のもとで達成されたものである。
成果の詳細は2013年12月9-11日、米国ワシントンDCで開催される国際学会IEDM2013で発表される。  
関連ページ http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2013/pr20130925/pr20130925.html
2013年8月19日 内閣府より第11回産学官連携功労者表彰についてプレスリリースがあり、産総研、富士電機、
アルバックが共同で日本経済団体連合会会長賞を受賞することとなった。
事例名は、産学垂直連携・共同研究体「TPEC」の創成。
受賞概要は、SiCカーボン面を利用した独自構造のパワー半導体(MOSFET)を開発し、世界最高の低損失性能を実現し、
この成果を基に次世代パワー半導体製品の開発を加速する民活型・共同研究体
「つくばパワーエレクトロニクスコンステレーション(TPEC)」を設立して、
産学官諸機関参画のもと組織の壁をなくした研究開発及び人材育成を進めていること。
関連ページhttps://www.aist.go.jp/aist_j/topics/to2013/to20130820/to20130820.html 


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