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スーパークリーンルーム産学官連携研究棟(SCR)の概要

施設概要

施設写真

SCRの施設概要図

スーパークリーンルーム

  • 床面積:3000m2
  • クリーン度:クラス3(JIS B 9920, ISO 14644-1)
  • ウエハサイズ:300mm対応
  • 液浸ArF適用CMOS技術ベース

クリーンルーム環境

  • 温度・湿度:
    23±1℃   45±5%   FFU (ファインフィルターユニット)による一方向流方式
  • 化学汚染対策:
    4層構成の同一断面と気密区画、一部ケミカルフィルター
  • 振動対策:
    地盤改良/マットスラブ/エクスパンションジョイント/一部コンクリート床板

 

SCRでできること

SCRでは、300mm のシリコンウエハに対して一般的な半導体集積回路を形成するプロセス装置を保有しており、下記に示すプロセスメニューを活用した研究開発や個々のプロセスモジュール、単独工程の処理などを行うことができます。

また、新規技術開発に対応できるように、新規材料の研究開発に対しても前洗浄処理や汚染対策などに関する相談も受け付けます。

利用可能な装置一覧については約款および単価表をご覧ください。

 

   ※現在保有するプロセスメニュー

  • Si-Photonics受動素子用プロセス(300mmウエハ)
  • Bulk & SOI 65nm世代相当のトランジスタプロセス(300mmウエハ)
  • 45nm世代相当の2層Cu配線プロセス(300mmウエハ)

 

 

 

 

 

 

 

連絡先

このページに関するお問い合わせ:
国立研究開発法人産業技術総合研究所
TIA推進センター  共用施設運営ユニット  スーパークリーンルームステーション

〒305-8569 茨城県つくば市小野川16-1 西7 SCR棟
電話:029-849-1530        FAX:029-849-1533         Eメール:scr_contact-ml