半導体製造における前工程では、プラズマエッチングやスパッタリング等のプラズマプロセスが主要工程として多用されています。 半導体の量産ラインでは、高歩留まりかつ高設備稼働率を維持した高度な生産技術が要求されていますが、 プラズマプロセスにおいて発生する突発的な異常やパーティクルが歩留まりや設備稼働率を低下させる主要因の一つとなっています。 これら異常の発生メカニズムの解明や抑制策の構築に向けた取り組みとして、その場モニタリング手法の開発に取り組んでいます。

・プラズマインピーダンスモニタリングによるプロセス監視
　量産装置を改造することなく外付けで実装可能です。
　突発的かつ局所的に発生するプロセス異常の検知、パーティクル発生源のモニタリングを実証しました。

・パーティクルのその場検出
　プラズマエッチング中に発生するパーティクルを可視化し、その場検出可能です。
　パーティクル発生メカニズムの解明やチャンバー部品用部材の耐プラズマ性評価研究に有用です。

・薄型AEセンサによる異常検出
　独自開発のAIN薄膜を用いた薄型AEセンサによる検出手法です。
　ウエハに損傷を与える異常放電をプロセス中にその場検出可能であることを実証しました。

・半導体量産用プラズマプロセス装置におけるプロセス監視、異常検知、パーティクル検出
・半導体製造における装置稼働率改善、歩留まり改善