次世代半導体パッケージを実現する高周波技術の開発
研究のねらい
ChatGPTなどの生成AIが急速に発展しています。
今後も、生成AIの学習に使用されるパラメータの数が増えることで、コア数とダイ間の帯域幅が増加すると予想され、
この強い需要に応えるため、例えば3Dインテグレーション技術であるHBMが採用されています。
また高度なパッケージングの観点から、低損失・低コストが見込まれる有機インターポーザの開発需要が高まっています。
主な成果
従来は、金属表面の粗面化や新材料の導入によって金属と誘電体の接着性を向上させてきました。
本研究では、金属と誘電体の接着性を向上させる設計アプローチを採用し、インピーダンス、クロストーク、
挿入損失の観点から相互接続（単純な伝送線路、より高密度の相互接続）の電気性能への影響を評価しました。
用途・展開先
先端半導体パッケージ、生成AI等の半導体需要を支えるハードウエア基盤