センサの可能性を拓く先端材料・デバイス・プロセス技術
ー センシング・デバイス技術 ー
研究のねらい
材料研究者とデバイス研究者の連携により、窒化物やダイヤモンドなどのコア技術の研究開発を持続的に発展させると共に、
産業化/社会実装に向けたプロセス技術や将来のセンサに必要な要素技術の開発を実施しています。
主な成果
窒化物薄膜技術
（圧電体・強誘電体）
ダイヤモンドドーピング技術
(窒素添加・ホウ素添加・NV添加)
プロセス開発
(ダマシンCMP)
用途・展開先
次世代弾性波フィルタ・強誘電体デバイス、自動車や室内のガスモニタリング、
宇宙・海中などの極限環境下での高感度磁気計測、半導体製造（後工程）
宇宙・海中などの極限環境下での高感度磁気計測、半導体製造（後工程）
成果リスト
1）
S. A. Anggraini et. al., Effect of Si addition on polarity inversion in scandium aluminum nitride piezoelectric thin films, Scripta materialia, 258 (2025) 116253.
2） S. A. Anggraini et. al., Zirconia-based Electrochemical Sensor Utilizing Au-based Electrodes for Rapid Hydrogen Detection, 2024 IEEE Sensors, (2024) 1-4.
3） T. Kageura et. al., Spin-state control of shallow single NV centers in hydrogen-terminated diamond, ACS Appl. Mater. Interfaces (2024), 16, 13212.
4） T. Kageura et. al., Surface transfer doping of hydrogen-terminated diamond probed by shallow nitrogen-vacancy centers, Carbon, 29 (2024) 119404
5） M. Uehara et al, Excellent piezoelectric and ferroelectric properties of ScxGa1−xN alloy with high Sc concentration, APL Mater., 12, 121102 (2024),
・特開2022-128755
・特開2021-039995
・特許7260863
2） S. A. Anggraini et. al., Zirconia-based Electrochemical Sensor Utilizing Au-based Electrodes for Rapid Hydrogen Detection, 2024 IEEE Sensors, (2024) 1-4.
3） T. Kageura et. al., Spin-state control of shallow single NV centers in hydrogen-terminated diamond, ACS Appl. Mater. Interfaces (2024), 16, 13212.
4） T. Kageura et. al., Surface transfer doping of hydrogen-terminated diamond probed by shallow nitrogen-vacancy centers, Carbon, 29 (2024) 119404
5） M. Uehara et al, Excellent piezoelectric and ferroelectric properties of ScxGa1−xN alloy with high Sc concentration, APL Mater., 12, 121102 (2024),
・特開2022-128755
・特開2021-039995
・特許7260863
外部リンク
1）産総研プレスリリース
「低消費電力なメモリデバイスに貢献する新材料の開発に成功」