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ナノスピントロニクス研究センター

研究チーム紹介
ナノスピントロニクス研究センターは、(1) 大容量不揮発メモリおよびノーマリー・オフ・コンピュータ技術の研究開発、(2) 新スピントロニクス素子の研究開発、(3) 半導体スピントロニクスの研究開発について、下記の2チームにて取り組んでいます。

金属スピントロニクスチーム


チーム長
久保田 均
MgO-MTJ素子の巨大TMR効果とスピントルク磁化反転を用いた大容量不揮発メモリ スピンRAMの研究開発を行ています。特に、垂直時か電極を用いたnmサイズMTJ素子の開発を行っています。また、同じ基盤技術を活用した新デバイスの研究開発、具体的には、ナノサイズのマイクロ波・ミリ波発振器、物理乱数発生器、不揮発性スイッチング素子の開発も行っています。
研究テーマ
  1. MgO-MTJ素子の開発
  2. 大容量不揮発メモリ及びノーマリー・オフ・コンピュータ技術の研究開発
  3. 新スピントロニクス素子の研究開発

半導体スピントロニクスチーム


チーム長
斎藤 秀和
半導体を用いたスピントロニクス技術及び光スピントロニクス技術の研究開発を行っています。具体的には、スピン・トランジスタの実現を目指した半導体へのスピン注入・制御・検出、及び薄膜光アイソレータやスピン光メモリなどの光デバイスの研究開発を行います。
研究テーマ
  1. 半導体スピントロニクスの研究開発
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